[发明专利]压力、声压变化、磁场、加速、振动或气体组成的测量器

权利要求书

1.一种用于测量压力、声压变化、磁场、加速度、振动或气体组成的传感器(1)，所述传感器(1)包括：

超声发射器(2)，以及

腔(4)，其被布置成与所述超声发射器(2)连接，所述腔(4)在所用超声频率处于谐振模式，

其特征在于：

所述传感器(1)包括位于所述腔(4)的与所述超声发射器(2)相对的端部处的无源传感器元件(3，3′)，其距所述超声发射器(2)的距离被选择成满足谐振条件，

所述超声发射器(2)包括轻构造膜片振荡器(9)，其因此良好地连接到周围介质，以及

所述传感器包含用于测量所述超声发射器(2)与所述腔(4)之间相互作用的器件。

2.根据权利要求1所述的传感器(1)，其特征在于，用于测量所述超声发射器(2)与所述腔(4)之间相互作用的测量器件是功率测量器件。

3.根据权利要求1或2所述的传感器(1)，其特征在于，使用MEMS技术形成所述构造，使得在所述超声发射器(2)内存在高欠压。

4.根据权利要求1、2或3所述的传感器(1)，其特征在于，所述传感器是形成于SOI盘上的表面微机械结构。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的传感器(1)，其特征在于，在基本状态，所述超声发射器(2)与所述传感器元件(3，3′)之间的距离是所用超声频率的波长的四分之一、二分之一或这些的多倍。

6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器(1)，其特征在于，所述传感器元件(3，3′)在诸如移动电话或手表装置壳这样的装置壳的外表面上。

7.根据权利要求6所述的传感器(1)，其特征在于，连接到所述传感器的诸如移动电话或手表这样装置的装置壳的外表面形成所述传感器(1)的至少部分。

8.根据前述权利要求中任一项所述的传感器(1)，其特征在于，所述腔(4)借助于可渗透气体的结构连接到环境，以便允许测量气体含量。

9.根据前述权利要求中任一项所述的传感器(1)，其特征在于，额外质量(32)位于所述腔(4)中，用于测量加速度。

10.根据前述权利要求中任一项所述的传感器(1)，其特征在于，电流运输线圈位于无源膜片(3)中，用于测量磁场。

11.根据前述权利要求中任一项所述的传感器(1)，其特征在于，反射器腔(6)布置于所述腔(4)的顶部上，以便增强所述传感器的灵敏度。

12.一种用于测量压力、声压变化、磁场、加速度、振动或气体组成的方法(1)，在所述方法中：

使用超声发射器(2)来在腔(4)中生成超声，其在所用超声频率处于谐振模式，

其特征在于，

无源传感器元件(3，3′)位于所述腔的与所述超声发射器(2)相对的端部处，选择所述无源传感器元件(3，3′)距所述超声发射器(2)的距离，以使得满足谐振条件，

使用其中存在着轻构造膜片振荡器(9)的一种构造作为超声发射器(2)，其因而良好地连接到周围介质，以及

使用所述超声发射器(2)与所述腔(4)之间的相互作用来确定所希望的变量。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，通过测量由所述超声发射器(2)消耗的功率来实施所述超声发射器(2)与所述腔(4)之间的相互作用。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，使用MEMS技术形成所述构造，使得在所述超声发射器(2)内存在高欠压。

15.根据权利要求12、12或14中任一项所述的方法，其特征在于，在SOI盘上形成所述构造。

16.根据前述方法项中任一项所述的方法，其特征在于，在基本状态，使用所述超声频率的波长的四分之一、二分之一或这些的多倍，来作为所述超声发射器(2)与所述传感器元件(3，3′)之间的距离。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述传感器元件(3，3′)位于诸如移动电话的装置壳的外表面上，使得其可用作界面的部分。