[发明专利]信息记录介质及其制造法和记录再生装置有效

专利信息
申请号: 200880119382.2 申请日: 2008-12-04
公开(公告)号: CN101888933A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 土生田晴比古;山田升;古宫成 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: B41M5/26 分类号: B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 信息 记录 介质 及其 制造 再生 装置
【权利要求书】:

1.一种信息记录介质,具备基板和具有记录层的信息层,并通过激光的照射来进行信息的记录以及再生,

上述记录层包含由Te、O、MA、以及MB构成的Te-O-MA-MB材料,其中,MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素,MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素,

在上述Te-O-MA-MB材料中,Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下,O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下,MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下,MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。

2.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,

上述Te-O-MA-MB材料中的MB原子的含有比例XB相对于MA原子的含有比例XA与MB原子的含有比例XB之和的比{XB/(XA+XB)}是0.25以上、0.75以下。

3.根据权利要求1或2所述的信息记录介质,其中,

MA原子是Pd原子。

4.根据权利要求3所述的信息记录介质,其中,

Pd原子的含有比例是3原子百分比以上、5原子百分比以下。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的信息记录介质,其中,

MB原子是Cu原子。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的信息记录介质,其中,

上述记录层的厚度是2nm以上、50nm以下。

7.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,

该信息记录介质包含两个以上上述信息层,上述两个以上信息层中的至少一个信息层具有包含上述Te-O-MA-MB材料的记录层。

8.根据权利要求1~7中任意一项所述的信息记录介质,其中,

该信息记录介质采用波长是350nm以上、500nm以下的激光来记录以及再生信息。

9.一种信息记录介质的制造方法,是权利要求1所述的信息记录介质的制造方法,

形成记录层的工序包括以下过程:使用溅射靶,在含有稀有气体的气氛中进行溅射,其中,上述溅射靶包含由Te、O、MA、以及MB构成的材料,并且,MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素,MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素。

10.一种信息记录介质的制造方法,是权利要求1所述的信息记录介质的制造方法,

形成记录层的工序包括以下过程:使用溅射靶,在含有稀有气体和氧的混合气体的气氛中,进行反应性溅射,其中,上述溅射靶包含由Te、MA、以及MB构成的材料,并且,MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素,MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素。

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