[发明专利]用于衬底的两侧溅射蚀刻的系统和方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻衬底的蚀刻腔，包括：

主腔体；

耦合到所述腔体的工艺气体输送组件；

支撑衬底的衬底定位机构；

等离子体功率施加器；

耦合在所述腔体一侧的可移动电极组件，所述可移动电极组件可用于在所述衬底的传送期间位于远端位置并且在蚀刻处理期间位于近端位置。

2.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括耦合到所述可移动电极的RF功率供应器。

3.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括：

设置在所述腔体一侧上的RF透明窗；

设置在所述窗周围的天线；以及

耦合到所述天线的RF功率供应器。

4.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括微波或者远程等离子体源中的一个。

5.如权利要求1所述的蚀刻腔，还包括被设置成增强所述等离子体或者使所述等离子体成形的磁体。

6.如权利要求5所述的蚀刻腔，其中，所述磁体嵌入在所述电极组件内。

7.如权利要求5所述的蚀刻腔，其中，所述磁体设置在所述腔体的外部周围。

8.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括：

设置在所述腔体一侧上的RF透明窗；

设置在所述窗周围的天线；

耦合到所述天线的第一RF功率供应器；以及

耦合到所述电极的第二RF功率供应器。

9.如权利要求8所述的蚀刻腔，其中，将所述第二RF功率供应器的RF频率设置成等于或者小于所述第一RF功率供应器的RF频率。

10.如权利要求1所述的蚀刻腔，还包括：

设置在所述腔体一侧上的入口隔离阀；

设置在所述腔体的相对侧上的出口隔离阀。

11.如权利要求10所述的蚀刻腔，其中，所述衬底定位机构包括：

位于所述入口隔离阀和所述出口隔离阀之间的轨道；

架设在所述轨道上的衬底载体。

12.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述可移动电极组件包括：

可移动支撑体；

耦合到所述可移动支撑体的运动组件；以及

具有面对所述衬底的暴露表面的传导电极。

13.如权利要求12所述的蚀刻腔，其中，所述可移动电极组件还包括设置在所述电极周围并且暴露所述电极的所述暴露表面的电极盖。

14.如权利要求12所述的蚀刻腔，其中，所述传导电极是具有中心孔的垫圈形状。

15.一种用于蚀刻衬底的系统，所述系统包括：

多个蚀刻腔；

能够在所述腔之间传送衬底载体的一系列轨道；

其中，每一个蚀刻腔包括：

主腔体；

耦合到所述腔体的工艺气体输送组件；

支撑衬底的衬底定位机构；

RF功率施加器；以及

耦合在所述腔体一侧上的可移动电极组件，所述可移动电极组件可用于在所述衬底的传送期间位于远端位置并且在蚀刻处理期间位于近端位置。

16.如权利要求15所述的系统，还包括介于所述蚀刻腔之间的多个冷却腔。

17.如权利要求16所述的系统，其中，一个冷却腔介于两个蚀刻腔之间。

18.如权利要求16所述的系统，其中，将一个冷却腔设置成与两个连续连接的蚀刻腔邻接。

19.如权利要求15所述的系统，其中，所述等离子体功率施加器包括下列中的一个：电容性耦合的RF源、电感性耦合的RF源以及微波源。

20.如权利要求19所述的系统，其中，所述等离子体功率施加器还包括磁体。