[发明专利]使用图案化蚀刻剂物质以形成太阳能电池接点的工艺

权利要求书

1.一种形成太阳能电池元件的方法，包括：

在一基板的表面上形成一介电层；

将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上；

加热该基板至一所需温度，以使得该蚀刻剂物质将这些区域中的至少一部分的介电层移除，以暴露该基板表面的多个区域；以及

在该表面的这些暴露的区域上沉积一导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该加热的步骤包括将基板加热至约100～300℃。

3.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻剂物质包括氟化铵。

4.如权利要求3所述的方法，其中该蚀刻剂物质还包括一表面活性剂，该表面活性剂是选自由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇的嵌段共聚合物及甘油所组成的群组。

5.如权利要求3所述的方法，其中该蚀刻剂物质还包括一掺杂物质，而该掺杂物质包含选自由磷、硼、砷、锑、铝、铟及镓所组成的群组的一元素。

6.如权利要求5所述的方法，其中该加热的步骤包括将该基板加热至大于约800℃。

7.如权利要求5所述的方法，其中该加热的步骤包括将该基板加热至约50℃～300℃的第一温度，并且接着加热该基板至大于约800℃的第二温度。

8.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包括形成在所述基板的表面上方的氧化硅或氮化硅，所述基板包括一结晶硅基板。

9.如权利要求8所述的方法，其中该介电层还包括一非晶硅层。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述多个区域包括一些特征结构，所述的特征结构为尺寸大于约100微米并且中心间隔小于约2mm。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述多个区域包括一些特征结构，所述的特征结构为尺寸小于约1000微米。

12.如权利要求4所述的方法，其中在该表面的这些暴露的区域上沉积导电层的步骤实质为加热所述基板至所需温度的步骤之后、用于形成该太阳能电池元件的下一步骤。

13.一种形成太阳能电池元件的方法，包括：

在一基板的表面上形成一介电层，其中该介电层包含一或多个掺杂元素；

将一蚀刻剂物质设置在该介电层的多个区域上，其中该蚀刻剂物质包括氟化铵；

加热该基板至一所需温度，以使得该蚀刻剂物质将至少一部分的介电层移除，以形成该基板表面的多个暴露区域；以及

在这些暴露区域内，于一含硅区域上沉积一导电层。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述一或多个掺杂元素是选自由磷、硼、砷、锑、铝、铟及镓所组成的群组。

15.如权利要求13所述的方法，其中该加热的步骤包括将基板加热至约50℃～300℃的第一温度，并且接着加热该基板至大于约800℃的第二温度。

16.如权利要求13所述的方法，其中这些区域包括一些特征结构，所述的特征结构为尺寸大于约100微米并且中心间隔小于约2mm。

17.如权利要求13所述的方法，其中这些区域包括一些特征结构，所述的特征结构为尺寸小于约1000微米。

18.如权利要求14所述的方法，其中在该表面的这些暴露区域上沉积导电层的步骤实质为加热该基板至所需温度的步骤之后、用于形成该太阳能电池元件的下一步骤。