[发明专利]ZnO系半导体元件无效
| 申请号： | 200880119750.3 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101889347A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 中原健;川崎雅司;大友明;塚崎敦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/338;H01L21/363;H01L29/221;H01L29/778;H01L29/812;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zno 半导体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnO系半导体元件，其特征在于，
在主面具有C面的MgxZn1-xO、0≤x＜1的基板上，将所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴形成Φm度的角度，所述Φm满足0＜Φm≤3的条件；
在所述主面形成有ZnO系半导体层。
2.如权利要求1所述的ZnO系半导体元件，其特征在于，
对于所述Φm，将所述0＜Φm≤3的条件变更为0.1≤Φm≤1.5的条件。
3.如权利要求1或2所述的ZnO系半导体元件，其特征在于，
所述C面由+C面构成。
4.如权利要求1～3中任一项所述的ZnO系半导体元件，其特征在于，
将所述主面的法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴与c轴形成Φa度的角度，所述Φa满足以下条件：
70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(Φm/180))≤110。
5.一种ZnO系半导体元件，其特征在于，
在主面具有C面的MgxZn1-xO、0≤x＜1的基板上，所述主面的法线从c轴仅向m轴方向倾斜，该倾斜角超过0度且在3度以下的范围内；
在所述主面形成有ZnO系半导体层。
6.如权利要求5所述的ZnO系半导体元件，其特征在于，
所述倾斜角在0.1度以上且1.5度以下的范围内。
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