[发明专利]铝膜形成用组合物以及铝膜的形成方法无效

专利信息
申请号: 200880119770.0 申请日: 2008-12-24
公开(公告)号: CN101889063A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 酒井达也;松木安生;富永哲雄 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: C09D185/00 分类号: C09D185/00;B32B15/20;C09D5/00;C09D7/12;C07C211/65;C07F5/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙秀武;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 形成 组合 以及 方法
【权利要求书】:

1.铝膜形成用组合物,其特征在于:该组合物含有下式(1)所示的络合物和下式(2)所示的络合物,其中下式(1)所示的络合物与下式(2)所示的络合物的摩尔比为40∶60-85∶15,

AlH3·NR1R2R3                   (1)

AlH3·(NR1R2R3)2                (2)

式(1)和(2)中,R1、R2和R3各自独立地为氢原子、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基。

2.权利要求1所述的铝膜形成用组合物,其中,上式(1)所示的络合物与上式(2)所示的络合物的摩尔比为70∶30-85∶15。

3.权利要求1所述的铝膜形成用组合物,其中,该组合物进一步含有钛化合物。

4.权利要求2所述的铝膜形成用组合物,其中,该组合物进一步含有钛化合物。

5.铝膜的形成方法,其特征在于:在基体上涂布权利要求1-4中任一项所述的铝膜形成用组合物,形成涂膜,对该涂膜实施加热和光照射中的至少一种处理。

6.权利要求5所述的铝膜的形成方法,其中,在基体上预先涂布底层膜形成用组合物,然后对其进行加热,其中该底层膜形成用组合物含有除上式(1)所示的络合物和上式(2)所示的络合物之外的有机金属化合物,并且该有机金属化合物含有选自钛、钯和铝中的至少一种金属。

7.权利要求1-4中任一项所述的铝膜形成用组合物的制备方法,其特征在于该方法经历以下步骤:在醚溶剂中、在0℃以下使氢化锂铝与下式(3)所示的化合物的氢卤酸盐反应,合成上式(1)所示的络合物,

NR1R2R3                (3)

式(3)中,R1、R2和R3各自具有与上式(1)和(2)中的相同的含义,

在烃溶剂中、在超过30℃的温度下使氢化锂铝与上式(3)所示的化合物的氢卤酸盐反应,合成上式(2)所示的络合物,然后将两者混合。

8.权利要求1或3所述的铝膜形成用组合物的制备方法,其特征在于该方法经历以下步骤:在醚溶剂中在5-20℃下或在烃溶剂中在25-30℃下,使氢化锂铝与上式(3)所示化合物的氢卤酸盐反应,一并合成以摩尔比40∶60-85∶15含有上式(1)所示的络合物和上式(2)所示的络合物的络合物混合物。

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