[发明专利]电子材料用清洗剂和清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子材料用清洗剂和清洗方法。更详细地讲，涉及适用于平板显示器、光掩模(photomask)、硬盘或半导体的基板的清洗剂和清洗方法。

背景技术

电子材料的清洗技术中，由于制造时基板上残留的微量有机物污垢、碎玻璃(glass cullet)以及砂粒等杂质对电子材料的性能和产量有大的影响，因此其处理变得非常重要。特别是成为清洗对象的杂质变得更加微粒(颗粒)化，比以往任何时候都更容易附着、残留在表面上，因此高度清洗技术的确立已成为当务之急。因此，为了防止这些微粒造成的污染，提出了使用表面活性剂来提高颗粒去除性的方法(参照专利文献1～4)。

然而，存在的问题是：在制造平板显示器用、光掩模用、硬盘用及半导体用的玻璃或硅基板的工序中，从基样玻璃(mother glass)上根据需要将玻璃基板裁切成合适尺寸时产生的玻璃切屑(通称为碎玻璃)、洁净室内飞散的粉尘或加工油等有机物污垢、将基板表面纹理化(texturing)的工序时使用的研磨剂或研磨屑等坚固地附着在基板表面，在清洗工序中不能充分去除。

由于以这些碎玻璃、有机物污垢、研磨剂及研磨屑为代表的颗粒坚固地附着在基板表面，因此，为了将它们充分去除，需要将基板或研磨剂表面略加蚀刻，使颗粒分散到溶液中，而且使溶液中分散的颗粒不再附着到基板表面。然而，专利文献1中提出的清洗剂为含有烷基糖苷、甘油醚及烃的清洗剂，可期待其对有机污垢的去除性，但是对碎玻璃的去除性不充分，再通过使其含有碱性剂可期待去除蚀刻产生的颗粒，然而存在清洗后的基板表面粗糙的问题。另外，专利文献2中提出了含有特定的非离子型表面活性剂、特定的乙二醇醚及烃的清洗剂，以及含有烃、特定的乙二醇醚、阴离子型表面活性剂及二甲亚砜的清洗剂。前种清洗剂为了提高颗粒去除性能而使用非离子型表面活性剂，由于表面活性剂成分易残留于电子材料表面，因此存在漂洗性差、产率下降的问题。此外，后种清洗剂以提高渗透性为目的而含有平均碳原子数10～20的磺基琥珀酸型阴离子型表面活性剂等，虽然颗粒的去除性得到改善，但是由于起泡性非常高，而且消泡性不足，因此操作性(handling)存在问题。此外，专利文献3中提出的清洗剂为溶解有氟化氢和臭氧的清洗剂，可期待通过蚀刻去除坚固地附着在基板表面的颗粒，然而，由于含有氟离子，排水处理成本很高，而且由于不能控制强蚀刻性，清洗时存在损坏基板平坦性的问题。此外，专利文献4中提出的清洗剂，虽然通过使用阴离子型表面活性剂而使防止颗粒再附着效果得到某种程度的改善，但是由于几乎没有蚀刻性，因此存在颗粒去除性不充分、清洗性不充分的问题。

专利文献1：特开2007-39627号公报

专利文献2：特开2004-2691号公报

专利文献3：特开2001-276759号公报

专利文献4：特开2002-212597号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种不损坏玻璃或硅基板表面的平坦性、实现优良的颗粒去除性、低起泡性且经时稳定性优良的电子材料用清洗剂和清洗方法。

为了解决上述课题，本发明人等进行了深入研究，结果完成了本发明。即，本发明为一种电子材料用清洗剂和使用该清洗剂的电子材料的清洗方法，其中，所述清洗剂含有阴离子成分由通式(1)表示的阴离子型表面活性剂(A)、碳原子数6～18的链烯(alkene)、以及选自于由通式(2)表示的有机溶剂构成的组中的1种以上的有机溶剂(B)，上述(B)的SP值为6～13。

R¹[-(OA¹)_a-Q^-]_b        (1)

[式中，R¹为碳原子数1～10的烃基，A¹为碳原子数2～4的亚烷基，Q^-为-COO^-、-OCH₂COO^-、-SO₃^-、-OSO₃^-或-OPO₂(OR²)^-，R²为氢或碳原子数1～10的烃基，a为平均值0～20，b为1～6的整数，Q^-为-COO^-或-SO₃^-时a为0。]