[发明专利]各向异性导电接合组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用金属填充的微结构体的各向异性导电膜及其制备方法。更具体而言，本发明涉及一种具有使用了金属填充的微结构体的各向异性导电膜的各向异性导电接合组件，及该组件的制造方法。

背景技术

各向异性导电构件，当被插入到电子部件比如半导体器件和电路板之间，之后仅受到压力的施加时，能够在电子部件和电路板之间提供电连接。因此，这样的构件是非常受关注的构件，其广泛被用作例如用于半导体器件和其它电子部件的连接构件和进行功能检查时的检查连接器，并且其可以被预期应用于光学传输材料。

特别是，由于在用于半导体器件等的电子连接构件中已经出现的显著程度的小型化，因而在涉及布线基板的直接连接的常规技术比如布线粘合中不能充分保证连接的稳定性。近年来，这种情形已经引起了对其中导电元件的阵列完全穿过绝缘材料的膜这种类型的各向异性导电构件或其中金属球被布置在绝缘材料的膜中这种类型的各向异性导电构件的注意。

已经开发了检查连接器以避免当发生如下情况时招致的资金损失：在电子部件比如半导体器件已经安装在电路板上之后进行功能检查时，发现电子部件有缺陷，并且将电路板与该电子部件一起丢弃。通过在类似于在安装和实施功能检查过程中所使用的那些位置的位置，使电子部件比如半导体器件隔着各向异性导电构件与电路板进行电接触，能够在不将电子部件安装在电路板上的情况下进行功能检查，由此能够避免上述问题。

在这种应用中使用的各向异性导电构件描述于专利文献1中，该专利文献1公开了“一种各向异性导电膜，其包括由粘合剂绝缘材料构成的膜基板以及多个由导电材料构成的导电通道，所述导电通道以相互绝缘的状态排列在膜基板内，并且在膜的厚度方向上完全穿过膜基板，其中导电通道在平行于膜基板的长度方向的横截面中具有外周上的两点之间的平均最大长度为10至30μm的形状，并且其中相邻的导电通道之间的间隔是平均最大长度的0.5至3倍”。

专利文献2公开了“一种各向异性导电膜，其包括由绝缘树脂构成的膜基底和多个导电通道，所述导电通道是相互绝缘的，在膜的厚度方面上完全穿过膜基底，并且以交错的行形式布置，其中在相互邻接的导电通道行中的导电通道之间的距离比在单行的导电通道内的导电通道更小”。

专利文献1和2公开了制备这样的各向异性导电膜的方法，其中各向异性导电材料的细线插入到绝缘膜中，所述元件通过热和压力的施加而被整体结合，以及随后在厚度方向上进行划线(scribing)。

专利文献3考查了制备各向异性导电膜的方法，所述方法包括使用抗蚀剂和掩模电形成导电柱(column)，然后在该柱中倒入绝缘材料并且将绝缘材料凝固。

专利文献4公开了“一种制造电连接构件的方法，所述电连接构件具有由电绝缘材料制成的保持体以及在所述保持体内以相互绝缘状态设置的多个导电元件，其中每一个导电元件的末端均暴露在保持体的一侧，而每一个导电元件的另一末端暴露在保持体的另一侧，所述方法包括：

第一步骤，即，将具有基底和当沉积在基底上时形成保持体的绝缘层的基材从绝缘层侧暴露于高能量束，由此移除在多个区域中所有的绝缘层以及基底的一部分，以在基材中形成多个孔；

第二步骤，即，用导电材料填充多个所形成的孔以形成导电元件，使得与绝缘层那一侧齐平(flush)或使得从该侧凸出；以及第三步骤，即，移除基底”。专利文献4还对用于绝缘层的各种材料(例如，聚酰亚胺树脂、环氧树脂和硅氧烷树脂)进行了研究。

然而，随着近年来朝更高集成的趋势的增加，在电子部件比如半导体器件中的电极(端子)尺寸变得更小，电极(端子)的数量增加，并且在端子之间的距离变得更小。而且，还出现了这样的电子部件，其具有表面构造，其中在以窄的间距布置的多个端子的每一个上的表面在比部件本身的表面凹陷更多的位置上。

为了能够适应这样的电子部件，已经出现了对于使各向异性导电构件中的导电通道的外径(厚度)更小并且以更窄的间距布置导电通道的需要。

然而，在专利文献1至4中描述的制造各向异性导电膜和电连接构件的方法中，非常难于降低导电通道的尺寸。期望一种以高密度填充适合于窄间距的导电材料的方法。

专利文献1：JP 2000-012619A；

专利文献2：JP 2005-085634A；

专利文献3：JP 2002-134570A；

专利文献4：JP 03-182081A。

发明内容

本发明要解决的问题