[发明专利]适于提供端环模式的双调谐体积线圈

权利要求书

1.一种磁共振线圈，包括：

平行细长传导元件(32)，其布置用于限定圆柱体；以及

端环(34、35)，所述端环设置于所述平行细长传导元件的相对端并与所述平行细长传导元件横向取向；

所述端环配置用于支持在一磁场强度下的正弦¹H磁共振；以及

所述线圈还配置用于支持在同一所述磁场强度下的第二核素磁共振，所述第二核素与¹H不同。

2.根据权利要求1所述的磁共振线圈，其中，所述端环(34、35)和所述平行细长传导元件(32)协同以支持所述第二核素磁共振，作为在所述磁场强度下的鸟笼第二核素磁共振。

3.根据权利要求1所述的磁共振线圈，其中，所述平行细长传导元件(32)包括射频陷波器元件(44、45)，所述射频陷波器元件配置用于充分抑制在所述磁场强度下所述平行细长传导元件上的¹H磁共振。

4.根据权利要求1所述的磁共振线圈，还包括：

至少靠近所述端环(34、35)布置的一个或多个射频屏蔽部分(36、36’、38、38’、39)，所述一个或多个射频屏蔽部分与所述端环协同以将所述端环配置用于支持在所述磁场强度下的所述正弦¹H磁共振。

5.根据权利要求4所述的磁共振线圈，其中，所述一个或多个射频屏蔽部分(36、36’、38、38’、39)包括：

布置在所述平行细长传导元件(32)的每个端的屏蔽凸缘部分(38、39)和屏蔽端盖部分(38’)中的至少一种，以屏蔽所述端环(34、35)中邻近的一个。

6.根据权利要求4所述的磁共振线圈，其中，所述一个或多个射频屏蔽部分(36、36’、38、38’、39)包括：

圆柱形射频屏蔽(36、36’)，所述圆柱形射频屏蔽还包括布置在所述平行细长传导元件(32)的每个端的屏蔽凸缘部分(38、39)和屏蔽端盖部分(38’)中的至少一种，以屏蔽所述端环(34，35)中邻近的一个。

7.根据权利要求6所述的磁共振线圈，其中：

所述端环(34、35)和所述平行细长传导元件(32)协同以支持所述第二核素磁共振，作为在所述磁场强度下的鸟笼第二核素磁共振；并且

所述圆柱形射频屏蔽(36’)具有中央开口区域。

8.一种磁共振扫描器，包括：

配置用于产生静(B₀)磁场的主磁体(12)；

配置用于在所述静(B₀)磁场上叠加选定的磁场梯度的磁场梯度线圈(18)；以及

根据权利要求1所述的磁共振线圈。

9.一种磁共振线圈，包括：

平行细长传导元件(32)，其布置用于限定圆柱体；

端环(34、35)，其设置于所述平行细长传导元件的相对端并与所述平行细长传导元件横向取向；以及

至少接近所述端环的射频屏蔽(36、36’、38、38’、39)；

所述端环、所述平行细长传导元件和所述射频屏蔽配置用于协同地支持在一磁场强度下所述端环上的正弦端环第一核素磁共振和同一所述磁场强度下的第二核素鸟笼磁共振。

10.根据权利要求9所述的磁共振线圈，其中，所述平行细长传导元件(32)包括射频陷波器(44、45)，所述射频陷波器被调谐用于阻塞在所述磁场强度下的所述第一核素磁共振频率。

11.根据权利要求9所述的磁共振线圈，其中，所述射频屏蔽(36、36’、38、38’、39)包括：

接近所述端环中的第一端环设置的凸缘(38、39)或端盖(38’)；以及

接近所述端环中的第二端环设置的凸缘或端盖。

12.根据权利要求11所述的磁共振线圈，其中，所述射频屏蔽(36、36’、38、38’、39)还包括：

圆柱形射频屏蔽(36、36’)，所述圆柱形射频屏蔽环绕所述平行细长传导元件(32)并与由所述平行细长传导元件限定的所述圆柱体共轴。

13.根据权利要求12所述的磁共振线圈，其中，所述圆柱形射频屏蔽(36’)具有开放的中央区域。