[发明专利]磁控溅射方法以及决定施加于磁控溅射源的电源供应的功率调制补偿公式的方法

权利要求书

1.一种磁控溅射方法，其特征在于：所述方法包括：

以角频率ω来转动磁控管的磁铁；以及

当由所述磁控管的溅射源来溅射材料于基材上时，周期性的以至少一组成单元来调制功率位准，所述功率位准是施加于所述溅射源，所述组成单元包括频率f，其是在第一谐波以外，且为转动所述磁铁的所述角频率ω的谐波。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述调制步骤的所述功率位准包括一或多个其它组成单元，每一组成单元包括频率f，其不同于第一谐波，且为转动所述磁铁的所述角频率ω的谐波。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述周期性的调制步骤包括具有相位偏移的余弦形式、具有相位偏移的正弦形式，或余弦与正弦的总和形式。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述周期性的调制步骤包括组成单元，其相对于所述磁铁的所述角频率ω具有第一频率f₁、第一振幅a₁及第一相位偏移δ₁，所述第一频率f₁为所述角频率ω的谐波，且是在第一谐波以外。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述周期性的调制步骤更包括另一组成单元，其相对于所述磁铁的所述角频率ω具有第二频率f₂、第二振幅a₂及第二相位偏移δ₂，相较于所述第一频率f₁，所述第二频率f₂为所述角频率ω的另一不同的谐波。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第一频率f₁为所述角频率ω的第二谐波、第三谐波及第四谐波的其中一者，所述第二频率f₂为所述角频率ω的第一谐波、第三谐波及第四谐波的其中一者。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述周期性的功率调制步骤的所述组成单元包括振幅，其是设定来补偿所述溅射材料的薄膜所测量的厚度的角非均匀度的差异，所述溅射材料是沈积于基材上，其使用所述角频率的单一谐波、零相位偏移及预设振幅，并对照于参考薄膜，所述参考薄膜是溅射材料于所述基材上来形成，且未进行电源供应的调制。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述周期性的功率调制步骤的所述组成单元包括相位偏移，其是设定来补偿所述溅射材料的薄膜所测量的厚度的角非均匀度的差异，所述溅射材料是沈积于基材上，其使用所述角频率的单一谐波、零相位偏移及预设振幅，并对照于参考薄膜，所述参考薄膜是溅射材料于所述基材上来形成，且未进行电源供应的调制。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述厚度是利用傅立叶分析或最小平方近似法来决定。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：施加于所述溅射源的所述周期性的调制步骤是利用功率调制补偿公式来决定，所述功率调制补偿公式包括振幅和相位偏移，所述功率调制补偿公式为参考功率调制和差分功率调制的向量总和，所述差分功率调制是利用量测所述基材上所沈积的所述溅射材料的第一薄膜的厚度及所述基材上所沈积的所述溅射材料的参考薄膜的厚度之间的差异来决定，其中所述第一薄膜是使用所述角频率的所述谐波、第一相位偏移及第一振幅来溅射于所述基材上，所述参考薄膜是使用参考功率调制来溅射所述材料于所述基材上，所述参考功率调制包括所述角频率的所述谐波、参考相位偏移及参考振幅。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：施加于所述溅射源的所述周期性的调制步骤是利用功率调制补偿公式来决定，所述功率调制补偿公式包括振幅和相位偏移，所述功率调制补偿公式是利用所述磁控管的模拟二维蚀刻轮廓在所述谐波频率下的转动，以及计算所述基材上的所述材料的厚度非均匀度来决定。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在第一步骤中，所述功率位准包括周期调制，其具有第一频率f₁，所述第一频率f₁为所述角频率ω的谐波，在第二步骤中，所述功率位准包括周期调制，其具有第二频率f₂，所述第二频率f₂为所述角频率ω的谐波，相较于所述第一频率f₁，所述第二频率f₂为所述角频率ω的另一不同的谐波。