[发明专利]用于超高场MRI的发射/接收线圈有效
申请号: | 200880120250.1 | 申请日: | 2008-12-12 |
公开(公告)号: | CN101896831A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | Z·翟;R·C·高斯;E·Y·P·王;M·莫里希;K·M·尼曼;G·德梅斯泰 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/3415 | 分类号: | G01R33/3415 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 超高 mri 发射 接收 线圈 | ||
1.一种磁共振线圈,包括:
第一组线圈元件(54,56,80),其可操作性地与发射通道(66,74)连接,以与一磁场强度下用于选定负载的发射敏感区域耦合,所述第一组线圈元件靠近所述发射敏感区域布置但不包围所述发射敏感区域;
第二组线圈元件(52,54,82),其可操作性地与接收通道(66,74)连接,以与所述磁场强度下用于所述选定负载的接收敏感区域耦合,所述第二组线圈元件靠近所述接收敏感区域布置但不包围所述接收敏感区域;
所述第一组线圈元件和所述第二组线圈元件有至少一个线圈元件(52,56)不是公共的;并且
所述第一和第二组线圈元件在所述磁场强度下为所述选定负载限定基本类似的发射和接收敏感区域。
2.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中,所述第一组线圈元件(54,56,80)和所述第二组线圈元件(52,54,82)有至少一个线圈元件(54)是公共的。
3.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中,所述第一组线圈元件(54,56,80)包括:
可在第一相位与所述发射通道(66)连接的第一子组一个或多个线圈元件(56),以及
可在相对于所述第一相位成90°正交的第二相位与所述发射通道(66)连接的第二子组一个或多个线圈元件(54);
并且所述第二组线圈元件(52,54,82)包括:
可在第一相位与所述接收通道(66)连接的第一子组一个或多个线圈元件(54),以及
可在相对于所述第一相位成90°正交的第二相位与所述接收通道(66)连接的第二子组一个或多个线圈元件(52)。
4.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中,所述第一组线圈元件(54,56,80)包括:
可在第一相位与所述发射通道(66)连接的第一子组一个或多个线圈元件(56),以及
可在不同于所述第一相位的第二相位与所述发射通道(66)连接的第二子组一个或多个线圈元件(54);
并且所述第二组线圈元件(52,54,82)包括:
可在第三相位与所述接收通道(66)连接的第一子组一个或多个线圈元件(54);以及
可在不同于所述第三相位的第四相位与所述接收通道(66)连接的第二子组一个或多个线圈元件(52)。
5.根据权利要求4所述的磁共振线圈,其中,通过调节对应线圈元件中的传输线长度选择所述第一和第二相位之间的相位差以及所述第三和第四相位之间的相位差。
6.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中,所述第一组线圈元件(54,56,80)中和所述第二组线圈元件(52,54,82)中的每个线圈元件都是设置于所述选定负载上或靠近所述选定负载设置的表面线圈元件。
7.根据权利要求6所述的磁共振线圈,其中,所述第一组线圈元件(54,56,80)中和所述第二组线圈元件(52,54,82)中的每个表面线圈元件都是从包括(i)单环路表面线圈元件、(ii)多环路表面线圈元件和(iii)调谐轴向带状表面线圈元件的组中选择的。
8.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中,相对于所述第一组线圈元件(54,56,80)不对称地定位所述发射敏感区域,并且相对于所述第二组线圈元件(52,54,82)不对称地定位基本类似的所述接收敏感区域。
9.根据权利要求8所述的磁共振线圈,其中,所述发射敏感区域和基本类似的所述接收敏感区域均相对于所述第一组和第二组线圈元件的联合体(52,54,56,80,82)基本对称地定位。
10.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中:
所述第一组线圈元件(54,56,80)和所述第二组线圈元件(52,54,82)相对于彼此不对称地定位;并且
所述发射敏感区域和基本类似的所述接收敏感区域均相对于所述第一组和第二组线圈元件的联合体(52,54,56,80,82)基本对称地定位。
11.根据权利要求1所述的磁共振线圈,其中:
所述第二组线圈元件(52,54,82)在空间上与所述第一组线圈元件(54,56,80)偏移;并且
所述发射敏感区域和基本类似的所述接收敏感区域均相对于所述第一组和第二组线圈元件的联合体(52,54,56,80,82)基本居中地定位。
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