[发明专利]用于背面接触太阳能电池的具有高吸光层的防反射涂层

权利要求书

1.一种制造背面接触太阳能电池的方法，所述方法包括：

使背面接触太阳能电池的正面上的硅基底的表面形成纹理以产生有纹理的正面表面，所述背面接触太阳能电池具有位于与正面相对的背面上的扩散区和与所述扩散区电耦接的金属触点，所述正面在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射；

在有纹理的正面表面上形成包括二氧化硅的钝化层；

在钝化层上形成高k氮化硅层，所述高k氮化硅层被配置来阻挡从正面进入硅基底的UV辐射的至少10％；和

在高k氮化硅层上形成低k氮化硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其中高k氮化硅层对波长为400nm以及更短的光具有至少0.03的消光系数，而低k氮化硅层对波长为400nm以及更长的光具有最大0.03的消光系数。

3.如权利要求1所述的方法，其中硅基底包括N型硅基底。

4.如权利要求1所述的方法，其中钝化层包括热生长的二氧化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中高k氮化硅层具有在从1nm到100nm范围内的厚度。

6.一种背面接触太阳能电池，包括：

在背面接触太阳能电池的正面硅基底上的有纹理的表面，所述正面在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射；

形成在有纹理的表面上的钝化层；

形成在钝化层上的高吸光层，所述高吸光层被配置来阻挡从正面进入硅基底的UV辐射的至少10％；和

形成在高吸光层上的低吸光层。

7.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中高吸光层对波长为400nm以及更短的光具有至少0.03的消光系数，而低吸光层对波长为400nm以及更长的光具有最大0.03的消光系数。

8.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中高吸光层包括高k氮化硅。

9.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中低吸光层包括低k氮化硅并且高吸光层包括高k氮化硅。

10.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中钝化层包括二氧化硅。

11.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中硅基底包括N型硅。

12.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中高吸光层包括对波长为400nm或更短的光具有至少为0.03的消光系数的高k氮化硅。

13.如权利要求6所述的背面接触太阳能电池，其中高吸光层包括形成为厚度在1nm到100nm范围内的高k氮化硅。

14.一种制造背面接触太阳能电池的方法，所述方法包括：

使背面接触太阳能电池的太阳能电池基底的正面的表面形成纹理以产生有纹理的正面表面，所述正面在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射；

在有纹理的正面表面上形成钝化层；

在钝化层上形成高吸光层，所述高吸光层被配置来阻挡从正面进入基底的UV辐射的至少10％；和

在高吸光层上形成低吸光层。

15.如权利要求14所述的方法，其中钝化层包括热生长的二氧化硅。

16.如权利要求14所述的方法，其中低吸光层包括对波长为400nm或更短的光具有最大0.03的消光系数的低k氮化硅。

17.如权利要求14所述的方法，其中高吸光层包括对波长为400nm或更短的光具有至少0.03的消光系数的高k氮化硅。

18.如权利要求14所述的方法，其中基底包括N型硅。

19.如权利要求14所述的方法，其中基底包括N型硅并且钝化层包括在N型硅的表面上热生长的二氧化硅。

20.如权利要求14所述的方法，其中高吸光层包括形成为厚度在1nm到100nm范围内的高k氮化硅。

21.一种背面接触太阳能电池，包括：

形成在背面接触太阳能电池的基底的正面上的钝化层；

形成在钝化层上的高吸光层，所述高吸光层被配置来阻挡从正面进入基底的UV辐射；和

形成在高吸光层上的低吸光层，并以高吸光层和钝化层形成多层防反射结构。