[发明专利]转换LED

权利要求书

1.一种转换LED，其具有在420nm以下的短波辐射范围内发射的初级光源以及布置在所述光源之前的由BAM体系作为主晶格的荧光材料，所述荧光材料用于将所述光源的辐射至少部分转换成长波辐射，其特征在于，BAM荧光材料作为层厚度最高为50μm的薄层直接施加在所述光源的表面上，其中BAM荧光材料的通用化学计量为(M_1-rMg_r)O＊k(Al₂O₃)，其中r＝0.4至0.6，M＝EA_eEu_1-e，EA＝Ba、Sr、Ca，e＝0.52至0.8，特别是e＝0.55至0.65，和k＝1.5至4.5。

2.根据权利要求1的转换LED，其特征在于，所述BAM荧光材料的化学计量为M_xEu_1-xMg_1+dAl_10+2fO_17+d+3f，其中

0.2≤x≤0.48；优选0.35≤x≤0.45；

0≤d≤0.1；

-0.1≤f≤1.0。

3.根据权利要求1的转换LED，其特征在于，所述化学计量为Ba_xEu_1-xMgAl₁₀O₁₇，其中0.35≤x≤0.45。

4.根据权利要求1的转换LED，其特征在于，所述化学计量为Ba_xEu_1-xMgAl₁₀O₁₇，其中x＝0.35至0.48和z＝0.65至0.995。

5.根据权利要求1的转换LED，其特征在于，所述化学计量为Ba_xEu_1-xMg_1+dAl_10+2fO_17+d+3f，其中：

0.2≤x≤0.48；优选0.35≤x≤0.45；

0≤d≤0.1；

-0.1≤f≤1.0。

6.根据前述权利要求中任一项的转换LED，其用于转换初级辐射，其中所述初级辐射的峰值波长在300至420nm，优选340至410nm的范围内。

7.根据权利要求1的转换LED，其特征在于，所述荧光材料具有下面的化学计量：

{(1-a)＊(0.82[Ba_xEu_1-xO]＊6[Al₂O₃])}＊a(Ba_xEu_1-xMgAl₁₀O₁₇)，其中a原则上如下给出：0≤a≤1，特别是a为至少0.2，特别优选至少0.8，其中x值为至少0.52至最高0.8，且特别地x＝0.55至0.65。

8.根据前述权利要求中任一项的转换LED，其中使用Mn进行共掺杂。

9.具有根据前述权利要求中任一项的转换LED的照明系统，其特征在于，所述光源发射峰值波长在300至420nm范围内的初级辐射，用于转换的荧光材料是BAM主晶格型的铝酸盐，其掺杂了Eu和任选还掺杂有Mn，其中铝酸盐的化学计量为：M_xEu_1-xMg_1-y+dMn_yAl_10+2fO_17+d+3f，其中：

0.2≤x≤0.48；优选0.35≤x≤0.45；

0≤y≤0.3，优选0≤y≤0.2；

0≤d≤0.1；

-0.1≤f≤1.0。

10.根据权利要求7的照明系统，其特征在于，所述光源是LED，特别是基于InGaN的LED。

11.根据权利要求7的照明系统，其特征在于，所述光源是具有LED的照明模块，特别是具有基于InGaN的LED的照明模块。