[发明专利]具有键合界面的发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一半导体结构，包括设置在n型区域与p型区域之间的AlGaInP发光层；

第二半导体结构；以及

在设置在该第一半导体结构和第二半导体结构之间的界面处形成的键；

其中：

该键将该第一半导体结构连接到该第二半导体结构；并且

邻近该界面的半导体层被掺杂到至少2×10¹⁸cm^-3的浓度。

2.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层被掺杂到至少5×10¹⁸cm^-3的浓度并且具有大于的厚度。

3.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层为与厚之间并且用Te掺杂到至少5×10¹⁸cm^-3的浓度的InGaP层。

4.权利要求3的器件，其中：

邻近该界面的该半导体层是邻近该界面的第一半导体层；并且

邻近该界面的第二半导体层是小于厚且用Te掺杂的InGaP层。

5.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层具有大于15nm的峰至谷粗糙度。

6.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层具有与GaAs的体晶格常数不同的体晶格常数。

7.权利要求6的器件，其中具有与GaAs的体晶格常数不同的体晶格常数的邻近该界面的该半导体层是InGaP和AlGaInP之一。

8.权利要求1的器件，其中邻近该界面的该半导体层具有渐变的成分。

9.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层的带隙大于该发光层的带隙。

10.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层的带隙大于该发光层的带隙加上0.025eV。

11.权利要求1的器件，其中该第二半导体结构包括至少10μm厚的透明GaP层。

12.权利要求1的器件，其中邻近该界面的半导体层与该p型区域和n型区域中的至少一个相比被更重地掺杂。

13.权利要求1的器件，其中：

邻近该界面的半导体层是邻近该界面的第一半导体层；并且

邻近该界面的该第一半导体层是厚度小于且用Te掺杂到大于2×10¹⁸cm^-3的浓度的AlGaInP；

邻近该界面的第二半导体层是InP成分介于8％与16％之间、具有与之间的厚度且用Te掺杂到8×10¹⁸cm^-3的浓度的InGaP。

14.一种方法，包括：

在GaAs衬底上生长第一半导体结构，该第一半导体结构包括：

厚度小于的蚀刻停止层；以及

设置在n型区域与p型区域之间的AlGaInP发光层；

移除该GaAs衬底；以及

将该第一半导体结构键合到第二半导体结构。

15.权利要求14的方法，其中该蚀刻停止层是InP成分介于45％与50％之间的InGaP或AlGaInP。

16.权利要求14的方法，其中该蚀刻停止层和该GaAs衬底具有相同的体晶格常数。

17.权利要求14的方法，其中该蚀刻停止层和该GaAs衬底具有不同的体晶格常数。

18.权利要求14的方法，其中：

该第二半导体结构包括键合层；并且

该第一半导体结构和该第二半导体结构通过设置在该蚀刻停止层与该键合层之间的键而键合。

19.权利要求18的方法，其中该键合层具有至少的厚度。

20.权利要求18的方法，其中该键合层掺杂到至少5×10¹⁸cm^-3的浓度。

21.权利要求14的方法，其中：

该蚀刻停止层为第二蚀刻停止层；

该第一半导体结构还包括第一蚀刻停止层。

22.权利要求21的方法，其中该第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层具有不同的成分。