[发明专利]用于半导体发光器件的接触

权利要求书

1.一种方法，包含：

在生长衬底之上生长包含布置在n型区域和p型区域之间的AlGaInP发光层的半导体结构；

形成电连接到该半导体结构的该n型区域和p型区域的n接触和p接触，其中该接触均布置在该半导体结构的同一侧上以及其中该n接触和p接触的至少一个是反射性的；

将该半导体结构连接到载具；以及

在将该半导体结构连接到该载具之后，移除该生长衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其中移除该生长衬底包含用一蚀刻来蚀刻该生长衬底，该蚀刻在布置于该半导体结构和该生长衬底之间的蚀刻停止层上终止。

3.如权利要求2所述的方法，其中该蚀刻停止层为AlGaAs、InGaP和AlGaInP其中之一。

4.如权利要求2所述的方法，其中：

该蚀刻停止层为AlGaAs；以及

直接接触该蚀刻停止层的该半导体结构的一部分为AlGaInP。

5.如权利要求1所述的方法，其中在将该半导体结构连接到该载具之前形成该n接触和p接触。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

该n接触包含Au和Ge；以及

该n接触直接接触n型III-P层。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

该半导体结构包含布置在该p型区域和该p接触之间的p型接触层；以及

该p型接触层的至少一部分被掺杂到至少5×10¹⁸cm^-3的空穴浓度。

8.如权利要求7所述的方法，其中p型掺杂剂通过下述之一被引入该p型接触层：在生长该p型接触层期间引入，以及在生长该p型接触层之后从气相源扩散。

9.如权利要求7所述的方法，进一步包含在形成该接触之前蚀刻掉该p型接触层的部分。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包含在该p接触和该p型区域之间，在与该p型接触层的被蚀刻掉的部分对应的至少一个区域中布置电介质。

11.如权利要求7所述的方法，进一步包含在该p型接触层之上形成具有开口的电介质层，其中掺杂到至少5×10¹⁸cm^-3的空穴浓度的该p型接触层的部分与该电介质层中的开口对准。

12.如权利要求7所述的方法，其中生长半导体结构包含通过金属有机化学气相沉积以小于每小时的生长速率生长该p型接触层。

13.如权利要求7所述的方法，其中该p型接触层为GaP、AlGaInP和InGaP其中之一。

14.如权利要求1所述的方法，其中生长该半导体结构包含：

生长p型接触层；

在该p型接触层之上沉积包含掺杂剂的层，其中所述包含掺杂剂的层为金属和电介质其中之一；

退火该结构；以及

移除所述包含掺杂剂的层。

15.如权利要求14所述的方法，进一步包含在沉积所述包含掺杂剂的层之前，在该p型接触层之上沉积具有开口的电介质层。

16.如权利要求1所述的方法，其中生长半导体结构包含生长半导体晶片，该方法进一步包含在将该半导体结构连接到载具之前，将该晶片切片成单独的半导体结构。

17.如权利要求1所述的方法，其中该p接触和该p型区域之间的界面配置成使得当该半导体结构被正向偏置时，载流子隧穿通过该界面。

18.一种器件，包含：

包含布置在n型区域和p型区域之间的AlGaInP发光层的半导体结构；

电连接到该n型区域和p型区域的n接触和p接触，其中该n接触和p接触均形成在该半导体结构的同一侧上以及其中该n接触和p接触的至少一个是反射性的；以及

载具，其中该半导体结构经由该接触连接到该载具；

其中该器件中的半导体层的总厚度小于15μm以及该半导体结构的顶侧的至少一部分被纹理化。

19.如权利要求18所述的器件，其中该半导体结构的顶侧的至少一部分进行下述其中之一：随机粗糙化、图案化以及图案化成光子晶体图案。