[发明专利]用于形成混合基板的结构和方法

权利要求书

1.一种用于形成混合基板的方法，包括：

提供具有不同晶体取向的第一基板和第二基板；

将所述第一基板和第二基板结合在一起从而形成单一混合基板；

去除所述第一基板的预定部分，以在所述第一基板中形成开口，通过所述开口来暴露所述第二基板的表面区域；以及

实施相对于所述第一基板和第二基板的所述晶体取向为选择性的选择性外延生长工艺，从而从所述第二基板的暴露表面而不是从所述第一基板的暴露表面形成外延硅，其中，从所述第二基板的暴露表面形成的所述外延硅具有与所述第二基板相同的晶体取向。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述结合步骤之前，在所述第一基板内的预定深度处形成富氢区域；并且

在所述结合步骤之后，执行裂开工艺以沿着所述富氢区域将所述第一基板分成两个部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述去除步骤之前，将所述第一基板减薄至期望的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

分别在所述外延硅和所述第二基板中形成第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管能够基于空穴电流传导来运行，而所述第二晶体管能够基于电子电流传导来运行。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

执行硅去除工艺，使得所述第二基板的顶部表面和所述外延硅的顶部表面变得基本上共面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，生长的所述外延硅直接接触所述第一基板中的所述开口的侧壁。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述外延硅之前，沿着所述第一基板中的所述开口的侧壁形成电介质隔离物，使得在形成所述外延硅之后，所述电介质隔离物使所述外延硅与所述第一基板绝缘。

8.一种用于形成混合基板的方法，包括：

利用在第一基板和第二基板之间延伸的电介质层将所述第一基板和第二基板结合在一起，从而形成单一混合基板，所述第一基板和第二基板具有不同的晶体取向；

去除所述第一基板和所述电介质层的预定部分，以形成在所述第一基板中和在所述电介质层中延伸的开口，使得所述第二基板的表面区域通过所述开口变成暴露的；以及

实施相对于所述第一基板和第二基板的所述晶体取向为选择性的选择性外延生长工艺，从而从所述第二基板的暴露表面而不是从所述第一基板的暴露表面形成外延硅，其中，从所述第二基板的暴露表面形成的所述外延硅具有与所述第二基板相同的晶体取向。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

提供具有在所述第一基板的表面上方延伸的第一电介质层的第一基板，以及具有在所述第二基板的表面上方延伸的第二电介质层的第二基板，其中，所述第一电介质层和第二电介质层一起形成所述电介质层。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述结合步骤之前，在所述第一基板内的预定深度处形成富氢区域；并且

在所述结合步骤之后，执行裂开工艺以沿着所述富氢区域将所述第一基板分成两个部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述去除步骤之前，将所述第一基板减薄至期望的厚度。

12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

分别在所述外延硅和所述第二基板中形成第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管能够基于空穴电流传导来运行，而所述第二晶体管能够基于电子电流传导来运行。

13.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

执行硅去除工艺，使得所述第二基板的顶部表面和所述外延硅的顶部表面基本上共面。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，生长的所述外延硅直接接触所述第一基板中的所述开口的侧壁。

15.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在形成所述外延硅之前，沿着所述第一基板以及所述第一电介质层和第二电介质层中的所述开口的侧壁形成电介质隔离物，使得在形成所述外延硅之后，所述电介质隔离物使所述外延硅与所述第一基板绝缘。