[发明专利]用于低功率高良率存储器的系统和方法

说明书

对相关申请案的交叉参考

本申请案主张2007年11月8日申请的标题为“用于高良率低功率存储器设计的系统和方法”(“Systems and Methods for High Yield，Low Power Memory Design”)的第60/986,378号美国临时专利申请案的优先权，所述临时专利申请案全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文揭示的发明性概念的实施例大体涉及数据处理系统的领域。举例来说，本文揭示的发明性概念的实施例涉及用于低功率高良率存储器的系统和方法。

背景技术

存储器(例如，高速缓冲存储器)可对计算装置的性能具有普遍影响。举例来说，存储器可能会影响处理器的面积、功率使用、时序、良率和调度。动态随机存取存储器(DRAM)对密度而非速度的主要重视可能使处理器与主存储器之间的性能差距更大。此外，每一代中具有使晶体管数目加倍的能力的工艺缩放使得芯片上存储器有可能在每一代中几乎加倍，从而进一步扩大性能差距。由于处理器频率与DRAM存取时间之间不断增大的差距，处理器已在稳定地使用更多裸片上静态随机存取存储器(SRAM)以满足性能目标。目前，超过70％的装置中具有SRAM阵列，且SRAM阵列使用50％的芯片面积。

计算装置中对SRAM的增加的使用的一个问题是，对此类存储器的存取会引起可能会影响计算装置的电池寿命的功率使用。降低SRAM的功率使用的一个问题包含存储器的降低的存取成功率。

发明内容

本发明描述一种用于低功率高良率存储器的系统。在一个实施例中，所述系统包含经配置以接收存储器电源电压的存储器单元。所述系统进一步包含经配置以针对对存储器单元的写入而将存储器电源电压从第一存储器电源电压电平修改为第二存储器电源电压电平的存储器电源电压控制电路。在另一实施例中，所述系统可包含用以将控制存储器单元的通过栅极的字线(WL)电压从第一字线电压电平修改为第二字线电压电平以改变存储器的静态噪声容限(SNM)的控制电路。

之所以提及此说明性实施例并不是为了限制或界定本文揭示的发明性概念，而是为了提供实例以帮助理解所述发明性概念。在具体实施方式中论述说明性实施例，且在具体实施方式中提供对本文揭示的发明性概念的进一步描述。通过检查本说明书和权利要求书，可进一步理解本文揭示的此发明性概念的各实施例所提供的优点。

附图说明

当参看附图阅读以下具体实施方式时，会更好地理解本文揭示的当前发明性概念的这些和其它特征、方面及优点，附图中：

图1是说明常规六个晶体管的SRAM单元的现有技术示意图。

图2是说明用于输出WL电压的常规电路的现有技术示意图，和说明常规电路的输出波形的波形图。

图3是说明用于缩放WL电压的示范性电路的示意图，和说明所述电路的输出波形的波形图。

图4是说明用于缩放Vddmem电压的示范性电路的示意图，和说明所述电路的输出波形的波形图。

图5是说明包含用于字线电压的电平移位器、用于Vddmem的电平移位器和用于从存储器单元接收的位线电压的电平移位器的示范性存储器阵列的视图。

图6是说明包含用于Vddmem的电平移位器且不包含用于字线电压或位线电压的电平移位器的示范性存储器阵列的视图。

图7是说明用于针对图5的存储器对字线和位线电压以及电源电压Vddmem进行选择性电压缩放的方法的流程图。

图8是说明用于针对图6的存储器对字线和位线电压进行电压缩放且对电源电压Vddmem进行选择性电压缩放的方法的流程图。

图9是说明可包含低功率高良率存储器的实例便携式通信装置的一般视图。

图10是说明可包含低功率高良率存储器的实例蜂窝式电话的一般视图。

图11是说明可包含低功率高良率存储器的实例无线因特网协议电话的一般视图。

图12是说明可包含低功率高良率存储器的实例便携式数字助理的一般视图。

图13是说明可包含低功率高良率存储器的实例音频文件播放器的一般视图。

具体实施方式

在整个描述内容中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本文揭示的发明性概念的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将明白，本文揭示的发明性概念可在没有这些具体细节中的一些的情况下实践。在其它例子中，众所周知的结构和装置用框图形式展示，以免使本文揭示的发明性概念的基本原理混淆。