[发明专利]发光器件及其使用的材料

说明书

技术领域

本发明涉及具有空穴传输层的有机发光器件和适合用于空穴传输层的材料。

背景技术

典型的有机发光器件(OLED)包括其上承载阳极的基底，阴极，以及位于阳极与阴极之间并且包含至少一种聚合物电致发光材料的发光层。在运行中，空穴通过阳极注入到器件中，电子通过阴极注入到器件中。空穴与电子在发光层中复合，形成激子，然后经过辐射性衰变发光。OLED中也可以存在其他层，例如可以在阳极和发光层之间提供空穴注入材料层，例如聚(乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)，以助于空穴从阳极向发光层的注入。此外，可以在阳极和发光层之间提供空穴传输层，以助于空穴向发光层的传输。

用于制备器件的聚合物优选可溶于普通的有机溶剂中，以便于其沉积。可溶性聚合物的一个实例为聚芴类，其具有良好的成膜性，可以容易地通过铃木(Suzuki)或山本(Yamamoto)聚合而形成。这使得可以对得到的聚合物的区域规整性(regioregulatory)进行高度的控制。

WO 99/20675涉及共轭聚合物的制备方法。公开了9，9-二取代芴单元，其中该取代基选自C₁-C₂₀烃基或含有一个或多个S、N、O、P或Si原子的C₁-C₂₀烃基，C₄-C₂₀烃基羰氧基或C₄-C₁₆烷基(三烷基甲硅烷氧基)。且进一步说明这两个取代基可以与芴环上的9号C形成C₅-C₂₀环结构或包含一个或多个杂原子S、N或O的C₄-C₂₀环结构。仅例举了n-辛基取代基。

J.Am.Chem.Soc.2001，123，946-953涉及蓝色发光的均聚物。聚合物20b具有以下化学式：

EP 1088875公开了具有基于苯基蒽的聚合物的电致发光器件。为了提高Tg，将金刚烷间隔基团加入到该聚合物中。聚合物67具有下式的重复单元：

其中R₂＝R₃＝4-甲氧基苯基。据称该聚合物为发光材料。

WO 02/092723公开了蓝光聚合物。据称将2，7-联9，9二芳基芴重复单元引入到电致发光聚合物中提高了玻璃化转变温度(Tg)。特别是，公开了下式的重复单元：

其中优选的是每个Ar独立地选自下式的任选取代的残基：

其中n＝1、2或者3，R为增溶基团或氢。特别优选的基团R为氢以及任选取代的烷基或烷氧基，最优选R为氢或丁基。

WO 02/092724涉及电子传输类的发光聚合物。根据WO 02/092724的发明的一方面的聚合物具有第一重复单元，该单元包含下式的基团：

它是取代的或未取代的，其中n为1、2或者3，X为氢或者烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳基烷基、烷基芳基、氰基、卤根、卤代烷基、卤代芳基、卤代杂芳基或烷氧基。优选地，X为氢或烷基。据称这些聚合物具有比先前用作电子传输材料的聚合物高的Tg值。提到了175℃的Tg。在第9页中，指出优选X选自甲基、乙基、正丁基、仲丁基或者叔丁基。

US 6653438涉及共轭的发光聚合物。公开了用于引入到聚合物中的一种单体具有以下化学式：

在实施例P4中，将该单体引入到具有三苯胺重复单元和另一不同的芴重复单元的聚合物中。

WO 2004/023573公开了一种光学器件的形成方法。根据该方法，在第一电极上形成第一层，并与第一层相接触地形成第二层。在沉积第二层之前，通过加热、真空和环境干燥处理中的一种或多种使得第一层至少部分地不溶。通过沉积第一半导体材料形成第一层，并通过沉积第二半导体材料形成第二层。其中指出，在第一和第二半导体材料之一或两者为聚合物的情况下，优选聚合物是共轭的，还指出这样的[共轭]聚合物优选地包含9-取代的或者9，9-二取代的芴2，7-二基重复单元，更优选下式的任选取代的单元：

其中R和R′独立地选自氢或者任选取代的烷基、烷氧基、芳基、芳基烷基、杂芳基和杂芳基烷基。

WO 2006/070185涉及胺类单体与聚合物。其中指出特别优选的胺类聚合物包括任选取代的2，7-联芴，最优选下式的重复单元：