[发明专利]晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法。更详细而言，涉及一种可以减少在将半导体晶圆切断分成小片时产生的芯片的缺损或开裂(以下记载为碎裂(chipping))的晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法。

背景技术

在IC、LSI等半导体装置的制造工序中，在将硅、砷化镓等半导体晶圆切断分(切割)成小片的工序之后，供给到拾取工序中。对一般的半导体晶圆的切割工序及拾取工序，一边参照图2～5所示的剖面图一边进行说明。

首先，在两端固定于支架11的基材膜上涂敷有粘合剂的粘合片12上粘贴半导体晶圆13(参照图2)，通过切割将晶圆分割成元件小片(芯片)14(参照图3)。接着，为了拾取芯片14，沿实线箭头方向15利用扩展器16顶起，沿虚线箭头方向17扩展，扩张芯片14间的间隔(参照图4)，进行全部芯片14的拾取或一部分芯片14的拾取(参照图5)。需要说明的是，在图2～5中，相同的符号是指相同的物质，对一部分附图省略其说明。

目前，在半导体晶圆的从切割工序至拾取工序的工序中，一直使用在基材膜上涂敷有粘合剂的粘合片。对于这种粘合片，考虑扩展性从而使用由较软质的树脂构成的基材。例如，有时使用聚氯乙烯膜或聚乙烯类膜。

在切割时，产生被称为碎裂的芯片的缺损、开裂，而且大小为100μm以上并不稀奇，一旦碎裂达到电路面上，有时还会造成电路本身的性能上的阻碍。另外，在进行拾取工序时有时由碎裂产生的芯片的碎片附着在其它芯片表面上，会破坏电路本身。

由于切割时的被称为刀片的旋转刀，切削中的芯片出现振动，而通过芯片和刀片的接触产生碎裂。因此，也有取代粘合片而用蜡将晶圆完全固定使其不引起振动的方法。但是，像制造工序这样反复进行切割时，利用蜡进行的固定、除去很费事而不现实。另外，蜡不能完全除去时，作为晶圆的污染而残留，因此，难以应用于非常介意污染物质的电子设备中。

发明内容

本发明的课题在于，提供一种晶圆粘贴用粘合片，其使用可以低成本制造的晶圆粘贴用粘合片，且可以减少切割时产生的碎裂的产生。而且，本发明的课题还在于，提供一种可以减少切割时产生的碎裂的产生的晶圆加工方法。

本发明人等对上述课题进行了悉心研究，结果发现，通过使晶圆粘贴用粘合片具有特定的损失系数，可以解决上述课题。本发明是基于这样的见解而完成的。

即，根据本发明提供以下方法：

(1)一种晶圆粘贴用粘合片，其由基材膜和在该基材膜上形成的粘合剂层构成，其特征在于，使用将该粘合片加工成宽7mm的试样、利用动态粘弹性测定装置以膜状测定的损失系数(23℃、频率1～100Hz)为0.15以上。

(2)如上述(1)项所述的晶圆粘贴用粘合片，其特征在于，构成所述基材膜的层中的至少1层含有苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物或苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物。

(3)如上述(2)项所述的晶圆粘贴用粘合片，其特征在于，构成所述基材膜的层中的至少1层由苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物或苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物和聚丙烯的混合物构成。

(4)如上述(2)或(3)项所述的晶圆粘贴用粘合片，其特征在于，所述基材膜中的苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物或苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物的含量为10～75质量％。

(5)如(1)～(4)中任一项所述的晶圆粘贴用粘合片，其特征在于，形成所述粘合剂层的粘合剂为丙烯酸类粘合剂。

(6)一种晶圆的加工方法，其特征在于，含有在上述(1)～(5)中任一项所述的晶圆粘贴用粘合片上贴合晶圆的工序和该晶圆的切割工序，并且，在所述切割工序中，不切入至晶圆粘贴用粘合片的基材膜。

需要说明的是，上述“苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物”是指“苯乙烯-氢化异戊二烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物”。

本发明的上述及其它特征及优点可适当参照添加的附图、由下述的叙述得知。

附图说明

图1是表示本发明粘合片实施方式之一的剖面图；

图2是说明半导体晶圆的切割工序及拾取工序的剖面图；

图3是说明半导体晶圆的切割工序及拾取工序的剖面图；

图4是说明半导体晶圆的切割工序及拾取工序的剖面图；

图5是说明半导体晶圆的切割工序及拾取工序的剖面图。

具体实施方式