[发明专利]蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液

权利要求书

1.一种半导体基板用蚀刻剂，其由至少含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：

(A)过氧化氢；

(B)具有羟基的膦酸系螯合剂；

(C)碱性化合物；

(D-1)铜防蚀剂；

0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述半导体基板为形成有铜布线的半导体基板，所述蚀刻剂至少含有所述(A)、(B)、(C)和(D-1)。

3.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述形成有铜布线的半导体基板为在钛(Ti)系金属膜上部形成有铜布线的半导体基板。

4.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述铜布线用于形成不含铅(Pb)的焊料凸点。

5.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂在不含铅的焊料凸点的形成工序中使用。

6.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述溶液的pH为7～10。

7.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述(B)具有羟基的膦酸系螯合剂选自由1-羟基亚乙基-1，1′-二膦酸、1-羟基亚丙基-1，1′-二膦酸、1-羟基亚丁基-1，1′-二膦酸组成的组。

8.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述(C)碱性化合物为(c-1)无机碱。

9.如权利要求8所述的蚀刻剂，其中，所述(c-1)无机碱为碱金属氢氧化物或氨。

10.如权利要求8所述的蚀刻剂，其中，所述(c-1)无机碱为氢氧化钾或氢氧化钠。

11.如权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述(D-1)铜防蚀剂为环氧卤丙烷改性聚酰胺、苯并三唑化合物、羟基羧酸或含氮环化合物。

12.如权利要求8所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂含有10重量％～35重量％的(A)过氧化氢、0.1重量％～3重量％的(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、0.2重量％～12重量％的(c-1)无机碱和0.05重量％～5重量％的(D-1)铜防蚀剂。

13.如权利要求8所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂由含有过氧化氢的溶液和蚀刻剂制备液来制备，所述蚀刻剂制备液由含有具有羟基的膦酸系螯合剂、无机碱和铜防蚀剂的溶液构成。

14.如权利要求13所述的蚀刻剂，其中，含有过氧化氢的溶液与所述蚀刻剂制备液的混合比为1∶9～98∶2。

15.如权利要求13所述的蚀刻剂，其中，对含有过氧化氢的溶液的pH和所述蚀刻剂制备液的pH进行了调整，以使这些溶液混合后的最终pH处于7～10的范围。

16.如权利要求13所述的蚀刻剂，其中，将含有过氧化氢的溶液与所述蚀刻剂制备液混合后各成分的最终浓度如下：(A)过氧化氢为10重量％～35重量％、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂为0.1重量％～3重量％、(c-1)无机碱为0.2重量％～12重量％、及(D-1)铜防蚀剂为0.05重量％～5重量％。

17.如权利要求13所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂是将含有15重量％～30重量％过氧化氢的溶液与蚀刻剂制备液以4∶6～9∶1的混合比进行制备的，所述蚀刻剂制备液由含有0.2重量％～2重量％的具有羟基的膦酸系螯合剂、0.5重量％～10重量％的无机碱和0.05重量％～2重量％的铜防蚀剂的溶液构成。

18.一种蚀刻方法，其特征在于，使用权利要求2所述的蚀刻剂对半导体基板上的钛系金属膜进行选择性蚀刻。

19.如权利要求18所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻剂是将含有过氧化氢的溶液与蚀刻剂制备液进行混合而制备的，所述蚀刻剂制备液由含有具有羟基的膦酸系螯合剂、碱性化合物和铜防蚀剂的溶液构成。

20.如权利要求19所述的蚀刻方法，其中，含有过氧化氢的溶液与所述蚀刻剂制备液的混合比为1∶9～98∶2。

21.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述半导体基板为形成有离子化倾向低于钨的金属凸点或金属布线的半导体基板，所述蚀刻剂至少含有所述(A)、(B)、(C)和(D-2)。