[发明专利]用于制造大面积真空等离子体处理的基板的方法以及真空等离子体处理装置

权利要求书

1.一种用于制造真空等离子体处理的基板的方法，包括：

●将要被处理的至少1m²基板表面在真空容器中暴露于基本上成平面且间隔的电极图案，所述电极图案包括偶数个平行的、相互间隔的基本等长的电极带；

●将Rf等离子体放电能量在沿着所述至少一个带的长度轴的至少两个不同位点处供给至至少一个所述带；

●通过利用所述电极图案建立的等离子体来处理所述基板。

2.根据权利要求1所述的方法，包括沿着所述长度轴选择所述位点以具有相互距离的平均值s，所述至少两个位点的最外位点距离带的小边达s/2±20％远。

3.根据权利要求1或2所述的方法，包括沿着所述轴的至少三个所述位点，所述点的相互距离与平均值s相差至多所述平均值的20％。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，沿着至少两个所述带的长度轴，优选地沿着至少突出数目个所述带的长度轴来提供所述点。

5.根据权利要求2至4之一所述的方法，包括生成所述等离子体放电能量，其在预定频率f₀处具有最大能量，所述平均值s和所述带的宽度中的至少一个被选择成至多1/10λ_o，其中λ_o是对应于频率f₀的波长。

6.根据权利要求1至5之一所述的方法，包括调节所述位点的位置。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，包括将所述带再分成带的至少两个子集，以及利用相加基本上为零信号的电Rf信号来分别对所述子集的带进行供给。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法，所述等离子体处理是非反应性的或反应性的蚀刻或层沉积。

9.根据权利要求8所述的方法，所述层沉积是PECVD。

10.一种真空等离子体处理装置，包括：

●真空容器；

●在所述容器中的基板支承体，其用于包括一个或多于一个平坦基板的至少一个基板布置，所述基板布置具有至少1m²要被处理的表面；

●基本上成平面的电极图案，其远离所述基板支承体并且包括偶数个相互间隔的平行电极带，至少一个所述带具有在沿着所述至少一个带的长度轴的不同位点处连接的至少两个电供给线。

11.根据权利要求10所述的装置，所述位点彼此之间具有相互距离的平均值s，最外位点具有距所述带的小边的s/2±20％的距离。

12.根据权利要求10或11所述的装置，所述至少一个电极带具有至少三个所述电供给线，所述位点的相互距离与所述相互距离的平均值s相差至多20％s。

13.根据权利要求10至12之一所述的装置，至少两个所述带，优选地突出数目个所述带具有所述供给线和位点。

14.根据权利要求11至13之一所述的装置，还包括电等离子体放电能量的Rf发生器布置，所述发生器布置生成至少一个电馈给信号，其在预定频率f₀处具有最大频谱能量，所述带的宽度和所述位点的相互距离的平均值中的至少一个至多是1/10λ_o，其中λ_o是对应于频率f₀的波长。

15.根据权利要求10至14之一所述的装置，可沿着所述带调节所述不同位点中的至少一部分的位置。

16.根据权利要求10至15之一所述的装置，包括具有至少两个输出端的电等离子体放电能量的Rf发生器布置，所述输出端的一个在操作中被连接到所述数目个电极带的一个子集，另一个输出端在操作中被连接到所述数目个电极带的另一个子集，依赖于在所述输出端生成的信号向所述子集施加的信号相加基本上为零信号。