[发明专利]用于提供高速、低EMI开关电路的方法与装置有效
申请号: | 200880121696.6 | 申请日: | 2008-07-15 |
公开(公告)号: | CN101903930A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | Y·李 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 邹姗姗 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 高速 emi 开关电路 方法 装置 | ||
1.一种用于生成驱动数字显示器的电源电压的装置,包括:
开关晶体管,具有栅极、源极和漏极;
第一多条电路通路,耦接在所述源极与地之间;
电感器;
电压电源,耦接在所述电感器的第一端与地之间;
二极管,具有阳极和阴极,其中所述阳极连接到所述电感器的第二端;
电容器,耦接在所述二极管的所述阴极与地之间;及
第二多条电路通路,耦接在所述漏极与如下连接处之间,即所述电感器与所述二极管的所述阳极之间的连接处,所述第一和第二多条电路通路彼此交错,使得所述第一和第二多条电路通路中没有一条与相同多条通路中的电路通路相邻。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述第一多条电路通路包括:
由氧化铟锡(ITO)形成的电路迹线。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述第二多条电路通路包括:
由氧化铟锡(ITO)形成的电路迹线。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述开关晶体管的所述栅极耦接到控制电路,该控制电路控制所述开关晶体管在高和低状态之间切换的速率。
5.如权利要求1所述的装置,还包括:
源极泄漏场拾取迹线,其一端耦接到所述源极而另一端是自由浮动的,所述源极泄漏场拾取迹线被配置成使得它只与所述第二多条电路迹线中的一条相邻,而且不与所述第一多条电路迹线中的任何一条相邻。
6.如权利要求1所述的装置,还包括:
漏极泄漏场拾取迹线,其一端耦接到所述漏极而另一端是自由浮动的,所述漏极泄漏场拾取迹线配置成使得它只与所述第一多条电路迹线中的一条相邻,而且不与所述第二多条电路迹线中的任何一条相邻。
7.一种用于生成驱动显示器的电源电压的电路,包括:
开关元件;
电压电源;
第一能量存储元件,其第一端耦接到所述电压电源;
第二能量存储元件,其耦接在所述第一能量存储元件的另一端与地之间;
第一多条电路迹线,其位于所述开关元件的一部分与地之间;及
第二多条电路迹线,其位于所述开关元件的第二部分与如下连接处之间,即所述第一与第二能量存储元件之间的连接处,所述第一和第二多条电路迹线彼此交错,使得每条电路迹线都与相对的多条迹线中的一条电路迹线相邻或者不与任何一条电路迹线相邻。
8.如权利要求7所述的电路,其中所述开关元件包括:
晶体管。
9.如权利要求7所述的电路,其中所述第一能量存储元件包括:
电感器。
10.如权利要求7所述的电路,其中所述第二能量存储元件包括:
电容器。
11.如权利要求7所述的电路,还包括:
二极管,其具有阳极和阴极,所述阳极耦接到所述第一能量存储元件的所述另一端,而所述阴极耦接到所述第二能量存储元件,使得所述二极管耦接在所述第一和第二能量存储元件之间。
12.如权利要求7所述的电路,还包括:
第一泄漏场拾取迹线,其一端耦接到所述第一多条电路迹线而另一端不连接,所述第一泄漏场拾取迹线配置成只与所述第二多条电路迹线中的一条相邻,而且不与所述第一多条电路迹线中的任何一条相邻。
13.如权利要求12所述的电路,还包括:
第二泄漏场拾取迹线,其一端耦接到所述第二多条电路迹线而另一端不连接,所述第二泄漏场拾取迹线配置成只与所述第一多条电路迹线中的一条相邻,而且不与所述第二多条电路迹线中的任何一条相邻。
14.一种生成用于驱动一个或多个显示器驱动器的低EMI能量的方法,包括:
在高状态和低状态之间切换开关元件,所述高状态使得电流流经所述开关元件;
引导所述电流流过所述开关元件的一部分与地之间的并行的第一多条电路迹线;
将所述电流的至少一部分从地传导通过能量源,到达电感器;及
使得所述电流的至少一部分从所述电感器通过并行的第二多条电路迹线,到达所述开关元件的第二部分,所述第一和第二多条电路迹线对准,使得所有所述第一多条电路迹线都与所述第二多条电路迹线中的一条或两条相邻,而且不与所述第一多条电路迹线中的任何一条相邻。
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