[发明专利]用于流量传感器的MEMS结构有效
申请号: | 200880121779.5 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101903752A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | J·W·斯佩尔德里奇 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01F1/68 | 分类号: | G01F1/68;G01F1/58;B81B7/00;B81B3/00;G01F1/05 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李家麟 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 流量传感器 mems 结构 | ||
1.一种MEMS流量传感器,包含:
衬垫结构,具有供形成的流体流通过其的两个开口;
感测结构,包括在具有背部腔的基底上的电绝缘顶部层,包括设置在所述电绝缘顶部层上的加热元件和双感测元件,所述顶部层还包括多个电阻薄膜,其中所述双感测元件测量流体流;以及
流通道,通过将所述感测结构接合到所述衬垫结构来形成,其中为了将多个线接合部和所述双感测元件与所述流通道隔离,引导所述流体流通过所述流通道。
2.如权利要求1所述的流量传感器,还包括:
多个导电引线,从所述感测结构、从所述加热元件和所述双感测元件延伸到所述多个线接合部。
3.如权利要求2所述的流量传感器,其中所述多个导电引线和所述多个线接合部为所述加热元件和所述双感测元件提供电连接。
4.如权利要求2所述的流量传感器,其中所述多个电阻薄膜包含选自镍和铂的金属。
5.如权利要求2所述的流量传感器,其中所述多个电阻薄膜连接在惠斯登电桥结构中。
6.一种MEMS流量传感器,包含:
衬垫结构,具有供形成的流体流通过其的两个开口以及设置在开口之间的通道;
感测结构,包括加热元件及双感测元件,所述感测结构还包括多个电阻薄膜,其中所述双感测元件测量流体流;
多个导电引线,在所述感测结构上从所述加热元件和所述双感测元件延伸到所述多个线接合部;以及
流通道,通过将所述感测结构接合到所述衬垫结构来形成,其中为了将多个线接合部和所述双感测元件与所述流通道隔离,引导所述流体流通过所述流通道。
7.一种MEMS流量传感器,包含:
衬垫结构,具有供形成的流体流通过其的两个开口;
感测结构,包括背部蚀刻通道和具有加热元件和双感测元件的电绝缘顶部层,所述感测结构还包括多个电阻薄膜,该多个电阻薄膜进一步包含选自镍和铂的金属,其中所述双感测元件测量流体流;以及
流通道,通过将所述感测结构接合到所述衬垫结构的背部来形成,其中为了将多个线接合部和所述双感测元件与所述流通道隔离,引导所述流体流通过所述流通道。
8.如权利要求7所述的流量传感器,还包括:
多个导电引线,从所述感测结构、从所述加热元件和所述双感测元件延伸到所述多个线接合部。
9.如权利要求8所述的流量传感器,其中所述多个导电引线和所述多个线接合部为所述加热元件和所述双感测元件提供电连接。
10.如权利要求8所述的流量传感器,其中所述多个电阻薄膜连接在惠斯登电桥结构中。
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