[发明专利]抗单元源极IR降的源电势调整

权利要求书

1.一种具有要被并行感测的存储器单元的各个页的非易失性存储器器件，在该非易失性存储器器件中；每个存储器单元具有源极、漏极、电荷存储单元和用于控制沿着所述漏极和源极的导电电流的控制栅极，所述存储器器件包括：

页源极线，可连接到一页中的每个存储器单元的源极；

集体节点，耦接到结构块的各个页源极线；

源极隔离开关，经由所述集体节点耦接到所选页的页源极线，用于存储器操作；以及

源极电势调整电路，包括具有连接到第一参考电压的第一输入并具有被连接为可连接到所述集体节点的反馈环路的第二输入的有源电路元件。

2.根据权利要求1的存储器器件，其中所述第二输入经过由所述有源电路元件的输出控制的晶体管连接到地参考。

3.根据权利要求1的存储器器件，其中所述源极隔离开关包括晶体管，所述集体节点通过该晶体管连接到地参考，该晶体管由反馈环路控制。

4.根据权利要求1的存储器器件，还包括控制电路，由此在感测操作期间反馈环路连接到所述集体节点。

5.根据权利要求1的存储器器件，还包括：

相关联的位线，可连接到所述所选页的每个存储器单元的漏极；

位线电压源，用于向所述所选页的每个存储器单元的相关联的位线提供预定位线电压，以用于感测操作；

字线，可连接到所述所选页的每个存储器单元的控制栅极；以及

字线电压源电路，用于为所述所选页的每个存储器单元的字线提供预定字线电压，以用于所述感测操作，

其中所述第一参考电压与感测操作期间的字线和位线电压无关。

6.根据权利要求1的存储器器件，还包括：

可连接到所述集体节点的上拉元件。

7.根据权利要求6的存储器器件，其中由所述有源电路元件调整所述上拉元件。

8.根据权利要求1的存储器器件，其中所述第一参考电压在从0.5V到1.0V的范围。

9.根据权利要求1的存储器器件，其中所述第一参考电压是地参考。

10.根据权利要求1的存储器器件，其中所述存储器器件具有多个平面，并且其中所述源极电势调整电路是用于所述平面的第一平面，所述平面的其他平面具有不同的源极电势调整电路。

11.根据权利要求1的存储器器件，其中根据NAND型架构组织所述存储器单元。

12.在具有要被并行感测的存储器单元的各个页的非易失性存储器器件中，每个存储器单元具有源极、漏极、电荷存储单元和用于控制沿着所述漏极和源极的导电电流的控制栅极，一种感测一页存储器单元的方法包括：

提供页源极线；

将所述页的每个存储器单元的源极耦接到所述页源极线；

将页源极线耦接到结构块集体节点，用于连接到源极电压控制电路以用于感测操作；

将所述集体节点耦接到源极电势调整电路的反馈环路，该源极电势调整电路包括具有第一输入并具有连接到所述反馈环路的第二输入的有源电路元件；以及

向所述第一输入施加第一参考电压。

13.根据权利要求12的方法，其中所述第二输入通过晶体管连接到地参考，所述方法还包括：

通过有源电路元件的输出控制所述晶体管。

14.根据权利要求12的方法，其中源极隔离开关包括晶体管，所述集体节点经过该晶体管连接到地参考，所述方法还包括：

通过所述反馈环路控制所述晶体管。

15.根据权利要求12的方法，还包括：

将所述反馈环路连接到所述集体节点。

16.根据权利要求12的方法，所述存储器器件还具有耦接到所述页的每个存储器单元的漏极的相关联的位线和耦接到所述页的每个存储器单元的控制栅极的字线，所述方法还包括：

向所述页的每个存储器单元的相关联的位线提供预定位线电压以用于感测操作；以及

为所述页的每个存储器单元的字线提供预定字线电压以用于所述感测操作，

其中所述第一参考电压与所述感测操作期间的字线和位线电压无关。

17.根据权利要求12的方法，还包括：

连接可与所述集体节点连接的上拉元件。