[发明专利]光电转换元件制造装置和方法、以及光电转换元件

权利要求书

1.一种光电转换元件制造装置，所述装置是在衬底上通过微波等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置，所述光电转换元件制造装置的特征在于，包括：

腔室，所述腔室是密闭空间，并且所述腔室中内置有载放衬底的基座，所述衬底是要形成薄膜的对象；

第一气体供应部，其对所述腔室内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；

调压部，其调整所述腔室内的压力；

第二气体供应部，其对所述腔室内的等离子体扩散区域提供原料气体；

微波施加部，其将微波导入到所述腔室内；以及

偏置电压施加部，根据所述气体种类来选择衬底偏置电压并将其施加给所述衬底。

2.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述方法使用权利要求1所述的光电转换元件制造装置，制造所述层积膜的缺陷数小于等于10¹⁷个/cm³的光电转换元件。

3.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述方法使用权利要求1所述的光电转换元件制造装置，制造所述层积膜的氧浓度小于等于10¹⁹atom/cm³的光电转换元件。

4.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述方法使用权利要求1所述的光电转换元件制造装置，制造所述层积膜的缺陷数小于等于10¹⁷个/cm³并且氧浓度小于等于10¹⁹atom/cm³的光电转换元件。

5.如权利要求1所述的光电转换元件制造装置，其特征在于，

所述微波使用RLSA(Radial Line Slot Antenna，径向线缝隙天线)在所述腔室内传播。

6.一种光电转换元件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步骤，将等离子体激发气体导入到腔室内，所述腔室中内置载放有衬底的基座，所述衬底是要形成薄膜的对象；

第二步骤，对所述腔室内进行调压；

第三步骤，在对所述腔室内导入微波之后再对该腔室内导入原料气体，或者在对所述腔室内导入原料气体之后再对该腔室内导入微波；以及

第四步骤，对所述衬底施加衬底偏置电压，

并且，所述光电转换元件制造方法制造所述薄膜的缺陷数小于等于10¹⁷个/cm³的光电转换元件。

7.一种光电转换元件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步骤，将等离子体激发气体导入到腔室内，所述腔室中内置载放有衬底的基座，所述衬底是要形成薄膜的对象；

第二步骤，对所述腔室内进行调压；

第三步骤，在对所述腔室内导入微波之后再对该腔室内导入原料气体，或者在对所述腔室内导入原料气体之后再对该腔室内导入微波；以及

第四步骤，对所述衬底施加衬底偏置电压，

并且，所述光电转换元件制造方法制造所述薄膜的氧浓度小于等于10¹⁹atom/cm³的光电转换元件。

8.如权利要求6或7所述的光电转换元件制造方法，其特征在于，

通过将在所述第三步骤中导入的原料气体逐次改变成第一原料气体、第二原料气体、第三原料气体来执行所述第一步骤至第四步骤，对所述衬底依次层积p型半导体膜、i型半导体膜、n型半导体膜，将这样形成的1层pin结层积1层以上的所期望的量。

9.如权利要求8所述的光电转换元件制造方法，其特征在于，

当所述层积数为2时，如下形成该两个层：至少i层包含微结晶或多结晶硅的第一pin结、至少i层包含微结晶或多结晶锗的第二pin结。

10.如权利要求8所述的光电转换元件制造方法，其特征在于，

当所述层积数为3时，如下形成该3个层：涉及至少i层包含非晶态硅的第一pin结、至少i层包含微结晶或多结晶硅锗的第二pin结、至少i层包含微结晶或多结晶锗的第三pin结，并且以所述第一pin结—第二pin结—第三pin结、或者所述第三pin结—第二pin结—第一pin结的方式来进行层积。