[发明专利]陶瓷材料及其衍生产品的水热液相烧结方法

权利要求书

1.一种从多孔基体生产独石的方法，所述方法包括：

(i)提供具有间隙并含有至少第一反应物的多孔基体；

(ii)使所述多孔基体与含有至少第二反应物的渗透介质接触；

(iii)在促进所述至少第一反应物与所述至少第二反应物反应以提供至少第一产物的条件下，让所述渗透介质渗入所述多孔基体的至少部分间隙；

(iv)允许所述至少第一产物形成并填充所述多孔基体的至少部分间隙，从而生产独石，其中所述第一产物不含钛酸钡。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一产物具有比所述多孔基体更大的摩尔体积。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一产物具有与所述多孔基体基本相同的摩尔体积。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一产物具有比所述多孔基体更小的摩尔体积。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述独石具有相互连接的微结构。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一反应物包括金属氧化物、金属氢氧化物、金属硫酸盐、金属氟化物、金属钛酸盐或它们的组合。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述金属包括钙、镁、锶、钛、锆、铬、锰、铁、镍、铜、铝或它们的组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述多孔基体、所述第一反应产物和所述独石中的至少一个包括下述材料：如果使用常规烧结方法，该材料加热至能够烧结的温度之前，所述材料分解。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二反应物包括草酸盐、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐、柠檬酸盐、金属离子或它们的组合。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二反应物包括金属盐的混合物。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述渗透介质是流体。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述独石具有复合微结构。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述独石具有核-壳结构。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(iv)还包括对所述独石进行时效处理。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述独石通过奥斯特瓦尔德熟化在步骤(iv)中生成。

16.如权利要求1所述的方法，其中，通过离子加成、离子取代、歧化作用、沉淀或它们的组合形成所述第一产物。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一产物含有化学键合。

18.如权利要求1所述的方法，其中，所述独石具有按体积计的约15％或更少的残余孔隙度。

19.如权利要求1所述的方法，其中，所述独石是陶瓷。

20.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括重复所述步骤(ii)至所述步骤(iv)至少一次。

21.一种生产非钛酸钡烧结陶瓷的方法，所述方法包括：

(i)提供具有间隙并含有至少第一反应物的多孔基体；

(ii)使所述多孔基体与含有至少第二反应物的渗透介质接触；

(iii)在包括反应温度低于1000℃、反应压力小于70000psi以及促进所述至少第一反应物与所述至少第二反应物反应以提供至少第一产物的条件下，让所述渗透介质渗入所述多孔基体的至少大部分间隙，以及；

(iv)允许所述至少第一产物形成并填充所述多孔基体的至少大部分间隙，从而生成非钛酸钡烧结陶瓷。

22.如权利要求21所述的方法，其中，所述烧结陶瓷含有混合金属氧化物。

23.如权利要求21所述的方法，其中，所述多孔基体包括金属氧化物，所述金属氧化物包括IIa族金属的氧化物。

24.如权利要求21所述的方法，其中，所述多孔基体包括金属氧化物，所述金属氧化物包括IIb族金属的氧化物。

25.如权利要求21所述的方法，其中，所述多孔基体包括金属氧化物，所述金属氧化物包括IIIb族金属的氧化物。