[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

该制造方法具有：在基体层形成包含元件的至少一部分的器件部的器件部形成工序、对所述基体层离子注入剥离用物质形成剥离层的剥离层形成工序、把已形成有所述器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到所述基板的所述基体层加热沿着所述剥离层分离去除该基体层的未形成所述器件部的所述基体层的深度方向的一部分的分离工序，

该制造方法包括：在所述分离工序之后进行的、用来调整所述元件的P型区域的杂质浓度在所述基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

该制造方法包括：在所述分离工序之后进行的加热所述基体层来从该基体层去除所述剥离用物质的热处理工序。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

该制造方法包括形成覆盖所述基体层的被分离去除的一侧的绝缘膜的绝缘膜形成工序，

所述离子注入工序中，通过所述绝缘膜向所述基体层离子注入所述P型杂质元素。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

该制造方法包括：所述分离工序之后进行的加热所述基体层来从该基体层去除所述剥离用物质的热处理工序，和

对被热处理的所述基体层形成覆盖该基体层的被分离去除的一侧的绝缘膜的绝缘膜形成工序；

所述离子注入工序是通过所述绝缘膜向所述基体层离子注入所述P型杂质元素。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述P型杂质元素是硼。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述基板是玻璃基板或是单晶硅半导体基板。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述基体层包含从单晶硅半导体、IV族半导体、II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-IV族化合物半导体、含这些同族元素的混晶、以及氧化物半导体构成的组中所选择的至少一个。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述剥离用物质是氢或是惰性元素。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述元件是MOS晶体管、双极晶体管、和二极管当中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述元件是MOS晶体管，

所述P型区域是MOS晶体管的沟道区域。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述元件是双极晶体管，

所述P型区域是双极晶体管的基极区。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述元件是PN结二极管，

所述P型区域是PN结二极管的P型区域。

13.一种半导体装置，其特征在于：

该半导体装置是把基体层粘贴到基板来构成，该基体层的一部分沿着含氢的剥离层来分离去除，该基体层形成有包含元件的至少一部分的器件部，

所述基体层，含P型杂质元素，并具有该基体层中所含的P型杂质元素中电活性的P型杂质元素的比例在80％以上并且在100％以下的区域。

14.一种半导体装置，其特征在于：

该半导体装置是把基体层粘贴到基板来构成，该基体层的一部分沿着含氢的剥离层来分离去除，该基体层形成有包含元件的至少一部分的器件部，

该半导体装置具有在所述基体层的表面和没有设置该基体层的区域的所述基板表面的双方连续地形成的绝缘层，

所述基体层及所述绝缘层含P型杂质元素，

所述基体层及所述绝缘层中所含的P型杂质元素的浓度分布在所述基体层及所述绝缘层的界面是连续的。

15.根据权利要求13或14所述的半导体装置，其特征在于：

所述P型杂质元素的浓度在5×10¹⁶cm^-3以上并且在1×10¹⁸cm^-3以下。