[发明专利]通过等离子体蒸发的电镀方法和设备有效
申请号: | 200880122360.1 | 申请日: | 2008-11-07 |
公开(公告)号: | CN101910447A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | P·范登布兰德 | 申请(专利权)人: | 工业等离子体服务与技术IPST有限公司 |
主分类号: | C23C2/36 | 分类号: | C23C2/36;C23C14/32;C23C14/54;C23C14/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 瑞士莱茵瀑*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 等离子体 蒸发 电镀 方法 设备 | ||
1.一种用于相继基体的等离子体处理方法,这些基体包括一个或多个钢产品,在该方法中,将基体一个接一个地运输穿过至少一个等离子体处理区域(3、4、5),其特征在于,,用于在处理区域(3、4、5)中产生等离子体的电功率根据当基体行进穿过这个处理区域(3、4、5)时存在于这个处理区域(3、4、5)中的基体的面积而变化。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当基体进入处理区域(3、4、5)时,在这个区域中产生等离子体,并且当这个产品已经离开处理区域(3、4、5)时,等离子体被减活化。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在处理区域(3、4、5)中产生等离子体的电功率与进入处理区域(3、4、5)中的基体的面积成比例地增大,直到当基体在基体行进的方向上沿着处理区域(3、4、5)的整个长度延伸时,达到额定工作功率。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,当产品离开处理区域(3、4、5)时,产生等离子体的电功率与存在于这个处理区域中的基体的面积成比例地减小,直到当基体已经完全离开处理区域(3、4、5)时,达到最小工作功率或产生的离子体的供电被切断。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,探测基体向处理区域(3、4、5)中的进入和这个基体从处理区域(3、4、5)的退出,并且基于对基体的这种探测根据存在于处理区域(3、4、5)中的基体的面积,控制产生等离子体的电功率。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在处理区域(3、4、5)中对基体的处理由从程序基于由于探测到基体进入处理区域(3、4、5)中和探测到基体从这个处理区域(3、4、5)中退出而产生的信号独立地控制,这个从程序服从于当达到在处理区域(3、4、5)中产生等离子体之前要求的物理条件时由主程序发送的信号。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,基体被运输穿过第一处理区域(3),在该第一处理区域(3)中基体的表面通过离子轰击被活化,该第一处理区域(3)的后面有至少一个第二处理区域(4、5),在该第二处理区域(4、5)中,基体通过由等离子体蒸发的锌凝结在基体的表面上而被涂覆。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在第二处理区域(4、5)中,根据当基体行进时存在于这个区域中的这个基体的面积,电功率被输送到等离子体并且通过等离子体发出的离子向存在于这个第二处理区域(4、5)中的液体锌的表面上的轰击而被耗散。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其特征在于,基体穿过进口真空闸(2)和出口真空闸(6)被朝向处理区域(3、4、5)运输和从这个区域运输。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,基体以运输速度被引入到进口真空闸(2)中和从出口真空闸(6)离开,该运输速度根据基体在处理区域(3、4、5)中的处理速度而被确定,并且比这个处理速度大。
11.一种用于相继基体的等离子体处理设备,这些基体包括一个或多个钢产品,所述设备具有至少一个等离子体处理装置(9、19、20)和运输装置(17),所述等离子体处理装置(9、19、20)具有其中提供有处理区域的腔室,所述运输装置(17)用来使基体行进穿过等离子体处理装置(9、19、20)的处理区域,其特征在于,探测器(15、16、28、29)被提供在处理装置(9、19、20)的进口和出口处,这些探测器(15、16、28、29)借助于从程序与所提供的电功率合作,用于当基体行进穿过处理区域时根据存在于这个处理区域中的基体的面积在这个处理区域中产生等离子体。
12.根据权利要求11所述的设备,其特征在于包括具有真空容器(8)的第一处理装置(9),该真空容器(8)具有用来活化基体表面的等离子体离子源,第一处理装置(9)后面有至少一个第二处理装置(19、20),该第二处理装置(19、20)具有用来电镀基体的镀锌真空容器(11、13)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于工业等离子体服务与技术IPST有限公司,未经工业等离子体服务与技术IPST有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880122360.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C2-00 用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺;其所用的设备
C23C2-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域上镀覆
C23C2-04 .以覆层材料为特征的
C23C2-14 .过量熔融覆层的除去;覆层厚度的控制或调节
C23C2-26 .后处理
C23C2-30 .熔剂或融态槽液上的覆盖物