[发明专利]变焦透镜有效
申请号: | 200880122461.9 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101910914A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 今井钦之;笹浦正弘;宫津纯;八木生刚;藤浦和夫 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02B3/14 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变焦 透镜 | ||
1.包括由具有反演对称性的单晶体形成的电光材料以及形成于该电光材料的光入射面和光出射面的电极;
光轴被设定成使所述光从未形成有所述入射面的电极的空隙入射并从未形成有所述出射面的电极的空隙出射;
连结所述入射面的电极和所述出射面的电极的电力线的一部分在所述空隙中弯曲,使得所述光透过的部分的电场以所述光轴为中心发生变化;
从所述电光材料中透过的光的焦点能够通过改变被施加在所述入射面的电极和所述出射面的电极之间的电压而发生变化。
2.根据权利要求1所述的变焦透镜,其特征在于,所述电光材料是钙钛矿型单晶材料。
3.根据权利要求2所述的变焦透镜,其特征在于,所述电光材料是钽铌酸钾(KTa1-xNbxO3)。
4.根据权利要求2所述的变焦透镜,其特征在于,所述电光材料的晶体的主成分包括元素周期表中的IA族和VA族元素,IA族元素是钾,VA族元素是铌和钽中的至少1种。
5.根据权利要求4所述的变焦透镜,其特征在于,所述电光材料还包括元素周期表中IA族的除钾以外的元素例如锂,或者,IIA族中的1种或多种元素作为添加的杂质。
6.根据权利要求1至5的任一项所述的变焦透镜,其特征在于,所述电极由与所述电光材料形成肖特基结的材料形成。
7.根据权利要求1至6的任一项所述的变焦透镜,其特征在于,所述入射面的电极和所述出射面的电极的隔着所述空隙相对的边相互平行。
8.根据权利要求7所述的变焦透镜,其特征在于,所述入射面的电极的所述相对的边与所述出射面的电极的所述相对的边分别平行地设置,该出射面的电极隔着所述电光材料与所述入射面的电极相对。
9.根据权利要求8所述的变焦透镜,其特征在于,所述入射面的电极的所述相对的边与所述出射面的电极的所述相对的边被配置在隔着所述电光材料相一致的位置,该出射面的电极隔着所述电光材料与所述入射面的电极相对。
10.根据权利要求7、8或9所述的变焦透镜,其特征在于,隔着所述空隙相对的边的间隔A与所述电光材料的厚度T之比R=A/T在1.5以下。
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