[发明专利]具有过压保护的发光二极管芯片有效
申请号: | 200880122542.9 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101904006A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 约尔格·埃里希·佐尔格;斯特凡·格鲁贝尔;乔治·伯格纳 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L25/16;H01L27/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;许伟群 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 保护 发光二极管 芯片 | ||
1.一种发光二极管芯片,其具有:半导体层序列(1),该半导体层序列位于支承体(3)上;以及ESD防护装置(2),其保护发光二极管芯片免受过压影响,
其中ESD防护装置(2)通过对支承体(3)的确定区域的掺杂来产生。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其中ESD防护装置(2)构建为二极管。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,其中ESD防护装置(2)构建为齐纳二极管。
4.根据权利要求1至3之一所述的发光二极管芯片,其中ESD防护装置(2)借助电导体结构(5)与半导体层序列(1)相连。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片,其中电导体结构(5)至少部分被绝缘层(6)覆盖。
6.根据权利要求4或5所述的发光二极管芯片,其中半导体层序列(1)和衬底(3)至少部分被绝缘层(6)覆盖,在该绝缘层上存在电导体结构(5)。
7.根据权利要求4至6之一所述的发光二极管芯片,其中电导体结构(5)通过溅射、气相淀积或电镀沉积来产生。
8.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片,其中ESD防护装置(2)在与半导体层序列(1)的生长方向平行的方向上具有至少一个n掺杂的部分区域(22)和至少一个p掺杂的部分区域(21)。
9.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片,其中ESD防护装置(2)的至少一个掺杂的部分区域(21,22)通过阻挡层(31)与支承体(3)的剩余的部分区域(32)分离。
10.根据权利要求8或9所述的发光二极管芯片,其中ESD防护装置(2)的掺杂的部分区域(21,22)通过阻挡层(31)与支承体(3)的剩余的部分区域(32)完全分离并且不与该剩余的部分区域直接电接触。
11.根据权利要求9或10所述的发光二极管芯片,其中阻挡层(31)在平行于半导体层序列(1)的生长方向的方向上伸入支承体(3)至少达到20%并且最高达到80%。
12.根据权利要求9至11之一所述的发光二极管芯片,其中阻挡层(31)通过氧化硅或者氮化硅填充的沟(7)形成。
13.根据权利要求9至11之一所述的发光二极管芯片,其中形成阻挡层(31)的沟(7)填充以气体。
14.根据权利要求12或13所述的发光二极管芯片,其中沟(7)通过深反应离子刻蚀来产生并且具有结构化的壁(8)。
15.根据权利要求9至11之一所述的发光二极管芯片,其中阻挡层(31)通过pn结来形成。
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