[发明专利]具有过压保护的发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其具有：半导体层序列(1)，该半导体层序列位于支承体(3)上；以及ESD防护装置(2)，其保护发光二极管芯片免受过压影响，

其中ESD防护装置(2)通过对支承体(3)的确定区域的掺杂来产生。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中ESD防护装置(2)构建为二极管。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其中ESD防护装置(2)构建为齐纳二极管。

4.根据权利要求1至3之一所述的发光二极管芯片，其中ESD防护装置(2)借助电导体结构(5)与半导体层序列(1)相连。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其中电导体结构(5)至少部分被绝缘层(6)覆盖。

6.根据权利要求4或5所述的发光二极管芯片，其中半导体层序列(1)和衬底(3)至少部分被绝缘层(6)覆盖，在该绝缘层上存在电导体结构(5)。

7.根据权利要求4至6之一所述的发光二极管芯片，其中电导体结构(5)通过溅射、气相淀积或电镀沉积来产生。

8.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中ESD防护装置(2)在与半导体层序列(1)的生长方向平行的方向上具有至少一个n掺杂的部分区域(22)和至少一个p掺杂的部分区域(21)。

9.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中ESD防护装置(2)的至少一个掺杂的部分区域(21，22)通过阻挡层(31)与支承体(3)的剩余的部分区域(32)分离。

10.根据权利要求8或9所述的发光二极管芯片，其中ESD防护装置(2)的掺杂的部分区域(21，22)通过阻挡层(31)与支承体(3)的剩余的部分区域(32)完全分离并且不与该剩余的部分区域直接电接触。

11.根据权利要求9或10所述的发光二极管芯片，其中阻挡层(31)在平行于半导体层序列(1)的生长方向的方向上伸入支承体(3)至少达到20％并且最高达到80％。

12.根据权利要求9至11之一所述的发光二极管芯片，其中阻挡层(31)通过氧化硅或者氮化硅填充的沟(7)形成。

13.根据权利要求9至11之一所述的发光二极管芯片，其中形成阻挡层(31)的沟(7)填充以气体。

14.根据权利要求12或13所述的发光二极管芯片，其中沟(7)通过深反应离子刻蚀来产生并且具有结构化的壁(8)。

15.根据权利要求9至11之一所述的发光二极管芯片，其中阻挡层(31)通过pn结来形成。