[发明专利]等离子体源机构及成膜装置无效

专利信息
申请号: 200880122593.1 申请日: 2008-12-12
公开(公告)号: CN101904227A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 松元孝文;铃木寿弘;中牟田雄;松本昌弘;久保昌司 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C14/58
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 严志军;杨楷
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 机构 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子体源机构,能够适用于具有真空槽的真空装置,所述等离子体源机构具有:

环状的天线部,经由电介质部而配置在所述真空槽的外侧,具有直线状的天线本体部并能够施加高频电力;以及

磁石部,在所述真空槽的外侧经由所述电介质部而配置在所述天线部的附近,并具有与所述天线部相对应的形状,

其中,所述天线部的多个天线线圈邻接而接近配置,并且,该各个天线线圈并联连接。

2.根据权利要求1所述的等离子体源机构,其特征在于,所述天线部和磁石部形成为矩形状。

3.根据权利要求1所述的等离子体源机构,其特征在于,所述天线部的各个天线线圈由1匝卷绕构成。

4.一种成膜装置,具备:

真空槽;以及

成膜源,设置在所述真空槽的内部,

并且,所述成膜装置设置有等离子体源机构,所述等离子体源机构具有:环状的天线部,经由电介质部而配置在所述真空槽的外部,具有直线状的天线本体部并能够施加高频电力;以及磁石部,在所述真空槽的外侧经由所述电介质部而配置在所述天线部的附近,并具有与所述天线部相对应的形状,其中,所述天线部的多个天线线圈邻接而接近配置,并且,该各个天线线圈并联连接。

5.一种成膜装置,具备:

真空槽;

成膜区域,设置在所述真空槽内,并用于通过磁控溅射而在成膜对象物上形成多层膜;

等离子体处理区域,设置在所述真空槽内,并通过等离子体源机构而对所述成膜对象物上的膜进行等离子体处理;以及

旋转支撑机构,设置在所述真空槽内,能够在支撑所述成膜对象物的状态下进行旋转,并且,构成为伴随着该旋转,该成膜对象物通过所述多个成膜区域和所述等离子体处理区域,

所述等离子体源机构具有:环状的天线部,经由电介质部而配置在所述真空槽的外部,具有直线状的天线本体部并能够施加高频电力;以及磁石部,在所述真空槽的外侧经由所述电介质部而配置在所述天线部的附近,并具有与所述天线部相对应的形状,其中,所述天线部的多个天线线圈邻接而接近配置,并且,该各个天线线圈并联连接,

构成为,在所述真空槽内,一边使所述旋转支撑机构旋转,一边在所述成膜区域处而在所述成膜对象物上形成规定的膜,并且,在所述等离子体处理区域,对该成膜对象物上的该膜进行等离子体处理。

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