[发明专利]成膜装置及成膜方法

说明书

技本领域

本发明涉及一种对多个基材同时进行成膜处理的分批处理式的成膜装置以及成膜方法。

背景技术

现有技术中，一般使用分批处理式成膜装置在真空环境下对多个基材同时进行成膜处理(例如，参照专利文献1)。

这种成膜装置，当完成对基材的规定成膜处理时，使处理室开放，将完成成膜处理的基材取出，并且，将未进行成膜处理的基材放入处理室内部。在该取出/放入工序中，不可避免地破坏了处理室内部的环境，特别是处理室开放使其内部受到大气环境的影响，在很多情况下，在每次更换基材时，都要伴随有对处理室的排气作业，以使其从大气状态达到规定的真空度。

近年来，从减少装置的停机时间、降低成本、提高生产性的观点来看，迫切需要极力地缩短处理室的真空排气时间。真空排气性能主要依赖于真空泵的排气性能。真空排气系统不仅可采用具有单一的真空泵的结构，很多时候还会采用将多个真空泵串联或并联的结构。特别地，在需要具有较高的真空度的处理中，常常将低、中真空用的真空泵与高真空用的真空泵组合使用。

然而，例如对真空腔内部进行排气使其从大气环境状态变为高真空状态的这种情况，在冷凝负荷(冷凝性气体含量)较大时，即使在排气系统中配备排气能力较强的真空泵，在很多时候也不能充分发挥实际的排气能力。因此，现有技术的分批处理式成膜装置具有排气时间较长、生产性不高的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种成膜装置及成膜方法，以实现缩短在冷凝负荷较大时的排气系统的排气时间，从而提高生产性。

本发明的一个实施方式的成膜装置如下：

该成膜装置用于对多个基材同时进行成膜处理，具有支承单元、真空腔、成膜源、低温排气部。

上述支承单元具有旋转轴与支承部，该支承部支承上述多个基材，使该多个基材位于旋转轴的周围且可自由旋转。上述真空腔具有处理室，该处理室收装上述支承单元，且该支承单元可在该处理室中以上述旋转轴为中心自由旋转。上述成膜源配置在上述真空腔的内部。上述低温排气部具有低温冷凝源，该低温冷凝源配置在上述真空腔的上表面。

本发明的一个实施方式的成膜方法如下：

将基材收装到真空腔的内部；

由面对上述真空腔的内部配置的低温冷凝源对上述真空腔的内部进行排气，以使该真空腔的内部达到规定的真空度。在上述低温冷凝源与上述真空腔内部的连通被切断的状态下，用等离子CVD法在上述基材表面上形成第1覆膜。在上述低温冷凝源与上述真空腔的内部相连通的状态下，用真空蒸镀法或喷镀覆膜法在上述基材的表面上形成第2覆膜。

附图说明

图1为表示本发明具体实施方式的成膜装置的大致结构的斜视图图；

图2为表示本发明具体实施方式的成膜装置的大致结构的俯视图；

图3为表示本发明具体实施方式的成膜装置的大致结构的侧视图；

图4为表示本发明具体实施方式的成膜装置的大致结构的侧视图，其中A所示为处理室开放时的状态，B所示为处理室封闭时的状态；

图5为表示本发明具体实施方式成膜装置支承单元的结构的侧视图；

图6为本发明具体实施方式成膜装置的排气单元的剖视图。

【附图标记说明】

1    成膜装置              2     基材

10   真空腔                11    第1真空腔组件

12   第2真空腔组件         13    第3真空腔组件

14   处理室                15    电源供输单元

20   排气单元              21    低温排气部

21A  低温冷凝源            22    辅泵

23   开口部                24    排气通路

30   控制单元              40    公共基座

50   支承单元              51    旋转轴

52   上部支承部件          53    受电部

54   支承轴                55    支承部

56   板部件                57    蒸镀源

60   阴极板                63    驱动部

70   阀机构                71    阀芯