[发明专利]纳米结构的分离

权利要求书

1.纳米结构的分离方法，包括：

提供多个纳米结构；

将所述纳米结构暴露到重氮盐中以致所述多个纳米结构的第一群与所述重氮盐反应并且所述多个纳米结构的第二群不与所述重氮盐反应；

基于密度差将所述第一和第二群分离。

2.纳米结构的分离方法，包括：

将多个纳米结构暴露到一组条件中，在该组条件下，所述多个纳米结构的第一群被按这样的方式改性，即该方式不同地影响所述第一群与所述多个纳米结构的第二群的各成员的密度；和

使用具有小于大约100,000g的相对离心力的离心机将所述第一和第二群分离。

3.纳米结构的分离方法，包括：

将多个纳米结构暴露到一组条件中，在该组条件下，所述多个纳米结构的第一群被改性以致所述第一群的各成员的平均密度比第二群纳米结构的各成员的平均密度大至少大约100kg/m³；和

基于该密度差将所述第一和第二群分离。

4.纳米结构的分离方法，包括：

将多个纳米结构暴露到一组条件中，在该组条件下，所述多个纳米结构的第一群被改性以致所述第一群的各成员的平均密度比第二群纳米结构的各成员的平均密度大至少大约10％；和

基于该密度差将所述第一和第二群分离。

5.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一和第二群分离包括使用具有小于大约100,000g的相对离心力的离心机。

6.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一和第二群分离包括使用具有小于大约10,000g的相对离心力的离心机。

7.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一和第二群分离包括使用具有小于大约1000g的相对离心力的离心机。

8.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一和第二群分离包括使用具有小于大约10g的相对离心力的离心机。

9.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一群改性包括使实体与所述第一群内的纳米结构连接。

10.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一群改性包括使实体与所述第一群内的纳米结构共价连接。

11.根据上述任一权利要求的方法，其中将所述第一群改性包括使重氮盐与所述第一群内的纳米结构共价连接。

12.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第一群包含金属纳米结构。

13.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第二群包含半导体纳米结构。

14.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第二群包含不导电纳米结构。

15.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第一和第二群包含具有不同手性角的纳米结构。

16.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第一和第二群包含具有不同直径的纳米结构。

17.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第一和第二群包含具有不同导热率的纳米结构。

18.根据上述任一权利要求的方法，其中所述第一和第二群包含具有不同带隙的纳米结构。

19.根据上述任一权利要求的方法，其中在所述第一和第二群内的纳米结构的手性角差值为大约3°。

20.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含碳基纳米结构。

21.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含碳纳米管。

22.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含单壁碳纳米管。

23.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含多壁碳纳米管。

24.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含多壁纳米管，该多壁纳米管包含至少一个碳基壁和至少一个非碳壁。

25.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含非碳纳米管。

26.根据上述任一权利要求的方法，其中所述纳米结构包含第Ⅱ-Ⅵ族纳米管。