[发明专利]含镍的膜的形成材料和其制造方法无效
申请号: | 200880122880.2 | 申请日: | 2008-12-16 |
公开(公告)号: | CN101910457A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 广俊孝;小林孝充 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C23C16/42 | 分类号: | C23C16/42;H01L21/28;H01L21/285 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 材料 制造 方法 | ||
1.一种含镍的膜的形成材料,其特征在于,含有下述式(1)的结构式所示的化合物,
Ni(R1aC6H(5-a))(R2bC5H(5-b))···(1)
式(1)中,C5H(5-a)和C5H(5-b)表示环戊二烯基环,R1和R2各自独立地是氢原子、或下述式(2)的结构式所示的基团,此外,a和b分别为0~4的整数,除了R1和R2均表示氢的情况以外,a和b满足0<a+b≤4,
式(2)中,R3、R4和R5各自独立地是碳原子数为1~2的烷基。
2.根据权利要求1所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,上述式(2)中的R3、R4和R5均是甲基。
3.根据权利要求1所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,上述式(1)的结构式所示的化合物是双(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍或(环戊二烯基)(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,是在使用CVD法即化学气相沉积法来形成含镍的膜时使用的材料。
5.根据权利要求4所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,上述含镍的膜是硅化镍膜。
6.使用权利要求1~5的任一项所述的含镍的膜的形成材料形成的硅化镍膜。
7.一种硅化镍膜的制造方法,其特征在于,使用了权利要求1~5的任一项所述的含镍的膜的形成材料,通过CVD法即化学气相沉积法形成硅化镍膜。
8.根据权利要求7所述的硅化镍膜的制造方法,其特征在于,利用上述式(2)的结构所示的基团中的硅作为硅化镍膜的硅源。
9.根据权利要求7或8所述的硅化镍膜的制造方法,其特征在于,上述含镍的膜的形成材料是双(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍或(环戊二烯基)(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880122880.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制冷剂流向转换装置及使用该装置的设备
- 下一篇:烯丙醇共聚物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的