[发明专利]含镍的膜的形成材料和其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880122880.2 申请日: 2008-12-16
公开(公告)号: CN101910457A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 广俊孝;小林孝充 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: C23C16/42 分类号: C23C16/42;H01L21/28;H01L21/285
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 形成 材料 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种含镍的膜的形成材料,其特征在于,含有下述式(1)的结构式所示的化合物,

Ni(R1aC6H(5-a))(R2bC5H(5-b))···(1)

式(1)中,C5H(5-a)和C5H(5-b)表示环戊二烯基环,R1和R2各自独立地是氢原子、或下述式(2)的结构式所示的基团,此外,a和b分别为0~4的整数,除了R1和R2均表示氢的情况以外,a和b满足0<a+b≤4,

式(2)中,R3、R4和R5各自独立地是碳原子数为1~2的烷基。

2.根据权利要求1所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,上述式(2)中的R3、R4和R5均是甲基。

3.根据权利要求1所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,上述式(1)的结构式所示的化合物是双(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍或(环戊二烯基)(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,是在使用CVD法即化学气相沉积法来形成含镍的膜时使用的材料。

5.根据权利要求4所述的含镍的膜的形成材料,其特征在于,上述含镍的膜是硅化镍膜。

6.使用权利要求1~5的任一项所述的含镍的膜的形成材料形成的硅化镍膜。

7.一种硅化镍膜的制造方法,其特征在于,使用了权利要求1~5的任一项所述的含镍的膜的形成材料,通过CVD法即化学气相沉积法形成硅化镍膜。

8.根据权利要求7所述的硅化镍膜的制造方法,其特征在于,利用上述式(2)的结构所示的基团中的硅作为硅化镍膜的硅源。

9.根据权利要求7或8所述的硅化镍膜的制造方法,其特征在于,上述含镍的膜的形成材料是双(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍或(环戊二烯基)(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)镍。

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