[发明专利]非易失性半导体存储器件

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：

基元阵列，其具有以矩阵状设置的多个存储器基元，所述每一个存储器基元包括可变电阻器，所述可变电阻器的电阻响应于特定的电压或电流供给而可逆地变化以存储与所述可变电阻器的电阻对应的数据；

选择电路，其操作为从所述基元阵列选择将被擦除或写入数据的存储器基元；以及

写入电路，其操作为对由所述选择电路选择的所述存储器基元执行特定的电压或电流供给，以使在所述选择的存储器基元中的可变电阻器的电阻变化，从而擦除或写入数据，

其中当在所述选择的存储器基元中流动的电流达到在所述数据擦除或写入之后出现的特定水平时，所述写入电路根据在所述选择的存储器基元中的所述可变电阻器的电阻变化状况来终止对所述选择的存储器基元的所述电压或电流供给。

2.根据权利要求1的非易失性半导体存储器件，所述写入电路包括：

第一电流路径，其用于向所述选择的存储器基元供给电流，

第二电流路径，其用于与所述第一电流路径并联设置的电流监测器，

恒定电流电路，其操作为向所述第一和第二电流路径供给用于数据擦除的恒定电流，以及

监测器电路，其操作为当在所述第二电流路径中流动的电流的值达到特定水平时终止所述恒定电流的供给。

3.根据权利要求2的非易失性半导体存储器件，所述写入电路还包括在所述写入电路的输出端子处的重设电路。

4.根据权利要求2的非易失性半导体存储器件，所述写入电路还包括基准电压源电路，其操作为产生用于确定在所述恒定电流电路中流动的电流的值的偏置电压，

其中所述基准电压源电路产生温度变化补偿后的偏置电压。

5.根据权利要求2的非易失性半导体存储器件，所述写入电路还包括电阻器电路，所述电阻器电路将所述第一电流路径的寄生电阻复制到所述第二电流路径，

其中所述电阻器电路将电阻器插入到所述第二电流路径中，所述电阻器对应于由所述选择电路选择的所述第一电流路径。

6.根据权利要求1的非易失性半导体存储器件，其中所述基元阵列为所设置的多个基元阵列中的一个，并且所述写入电路被分散地设置在所述多个基元阵列附近。

7.根据权利要求1的非易失性半导体存储器件，其中所述基元阵列被配置为在存储层中使用所述可变电阻器的探测存储器。

8.一种非易失性半导体存储器件，包括：

基元阵列，其具有以矩阵状设置的多个存储器基元，所述每一个存储器基元包括可变电阻器，所述可变电阻器的电阻响应于特定的电压或电流供给而可逆地变化以存储与所述可变电阻器的电阻对应的数据；

选择电路，其操作为从所述基元阵列选择将被擦除或写入数据的存储器基元；以及

写入电路，其操作为对由所述选择电路选择的所述存储器基元执行特定的电压或电流供给，以使在所述选择的存储器基元中的可变电阻器的电阻变化，从而擦除或写入数据，

其中当对所述存储器基元施加的电压达到在所述数据擦除或写入之后出现的特定水平时，所述写入电路根据在所述选择的存储器基元中的所述可变电阻器的电阻变化状况来终止对所述选择的存储器基元的所述电压或电流供给。

9.根据权利要求8的非易失性半导体存储器件，所述写入电路包括：

恒定电流电路，其操作为向所述选择的存储器基元供给用于数据擦除的恒定电流，以及

监测器电路，其操作为当在所述恒定电流电路上的电流供给端子处的电压的值达到特定水平时终止所述恒定电流的供给。

10.根据权利要求9的非易失性半导体存储器件，所述写入电路还包括基准电压源电路，其操作为产生用于确定在所述恒定电流电路中流动的电流的值的偏置电压，

其中所述基准电压源电路产生温度变化补偿后的偏置电压。

11.根据权利要求8的非易失性半导体存储器件，所述写入电路包括：

电阻器电路，其复制有所述选择的存储器基元中的所述可变电阻器的当前电阻状态，

电流供给电路，其操作为向所述选择的存储器基元和所述电阻器电路供给用于数据擦除的相等的电流，以及

监测器电路，其操作为当在所述电流供给电路上的电流供给端子处的电压低于出现在所述电阻器电路上的电压时终止来自所述电流供给电路的所述电流的供给。