[发明专利]抗蚀剂处理方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂处理方法，其中，包括：

(1)将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜的工序，其中，所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团，在碱水溶液中不溶或难溶，可与酸作用而在碱水溶液中溶解；

(2)对第1抗蚀剂膜进行预烘焙的工序；

(3)对第1抗蚀剂膜进行曝光处理的工序；

(4)对第1抗蚀剂膜进行曝光后烘焙的工序；

(5)用第1碱显影液进行显影而得到第1抗蚀剂图形的工序；

(6)对第1抗蚀剂图形进行硬烘焙的工序；

(7)在第1抗蚀剂图形上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜的工序；

(8)对第2抗蚀剂膜进行预烘焙的工序；

(9)对第2抗蚀剂膜进行曝光处理的工序；

(10)对第2抗蚀剂膜进行曝光后烘焙的工序；和

(11)用第2碱显影液进行显影而得到第2抗蚀剂图形的工序。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，交联剂(C)为选自脲类交联剂、亚烷基脲类交联剂以及甘脲类交联剂中的至少一种。

3.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，交联剂(C)的含量，相对于树脂(A)100重量份为0.5～35重量份。

4.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，树脂(A)具有10000以上且40000以下的重均分子量。

5.如权利要求4所述的抗蚀剂处理方法，其中，树脂(A)具有12000以上且40000以下的重均分子量。

6.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，树脂(A)的对酸不稳定的基团是具有酯基、且与该酯基的氧原子相邻接的碳原子为季碳原子的基团。

7.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，光酸产生剂(B)为由式(I)表示的化合物，

式中，R^a表示碳原子数1～6的直链或支链的烃基、或者碳原子数3～30的环烃基，R^a为环烃基时，可以由选自碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～4的全氟烷基、酯基、羟基或氰基中的至少一种取代，该环烃基的至少一个亚甲基可以置换为氧原子，A+表示有机抗衡离子，Y¹、Y²分别独立地表示氟原子或者碳原子数1～6的全氟烷基。

8.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，光酸产生剂(B)为由式(III)表示的化合物，

式中，X表示-OH或-Y-OH，其中，Y为碳原子数1～6的直链或支链亚烷基，n表示1～9的整数，A⁺、Y¹、Y²与上述相同含义。

9.如权利要求1所述的抗蚀剂处理方法，其中，光酸产生剂(B)为由式(Ia)表示的化合物，

式(Ia)中，R^a1以及R^a2相同或不同，表示碳原子数1～30的直链状、支链状或环状的烃基、碳原子数5～9的含有氧原子的杂环基、或者基团-R^a1’-O-R^a2’，其中，R^a1’以及R^a2’相同或不同，为碳原子数1～29的直链状、支链状或环状的烃基、碳原子数5～9的含有氧原子的杂环基；取代基R^a1、R^a2、R^a1’以及R^a2’可以由选自氧代基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～4的全氟烷基、碳原子数1～6的羟烷基、羟基以及氰基中的至少一种取代；g表示0或1的整数；A⁺、Y¹、Y²与上述相同含义。