[发明专利]硅氧烷自粘合剂、其生产方法、使用其的复合物及其应用有效

专利信息
申请号: 200880123324.7 申请日: 2008-12-23
公开(公告)号: CN101932638A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 让-马克·弗朗斯;肖恩·迪菲 申请(专利权)人: 蓝星有机硅法国简易股份有限公司
主分类号: C08J7/18 分类号: C08J7/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;谢燕军
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 硅氧烷 粘合剂 生产 方法 使用 复合物 及其 应用
【说明书】:

技术领域

本发明涉及硅氧烷自粘合剂、其生产方法、使用其的复合物及其应用。

背景技术

在多个领域中,一种抗粘合的硅氧烷涂层应用到底物上,并且一种粘合剂涂层应用到另一底物上,然后涂覆后的表面面对面放置,并且最终互相对压以使这些底物可逆地粘合。这些涉及到体系例如是压敏标签或者胶带的那些体系。取决于产品的用途或者市场定位,需要大些或者小些的释放力以使其难以分开,或者相反地,容易分开。

为了调节这种释放力,已经提出了Corona处理的应用。但所得的效果并不均匀并且是暂时的。

释放力也可以通过UV或电子束辐射处理进行调节(EP-A-1278809)。但这种处理只能应用于对UV辐射透明的底物。而且,传递的能量不容易控制。

在硅氧烷涂层的组合物中加入MQ或MMViQ或MDViQ或MM’Q或MD’Q硅氧烷树脂,是在前面提及的体系中调节这种释放力的另一种已知的方式。但这些种类的树脂难以制备。通常,M表示“氧原子单取代的甲硅烷氧基单元R3SiO1/2”,D表示“氧原子双取代的甲硅烷氧基单元R2SiO2/2”,Q表示“氧原子四取代的甲硅烷氧基单元SiO4/2”,M’表示“氧原子单取代的含有结合到硅原子的H基团的甲硅烷氧基单元HR2SiO1/2”,D’表示“氧原子双取代的含有结合到硅原子的H基团的甲硅烷氧基单元HRSiO2/2”,MVi表示“氧原子单取代的含有结合到硅原子的乙烯基团H2C=CH-的甲硅烷氧基单元ViR2SiO1/2”,DVi表示“氧原子双取代的含有结合到硅原子的乙烯基团的甲硅烷氧基单元ViRSiO2/2”。

已提出在真空下从等离子体获得硅氧烷涂层,如PCT申请WO02/28548所述,但是这种方法难以用来高速地直接获得大表面面积的抗粘合涂层。

而且,通过专利申请FR-A-2873705,得知了一种在大气压下用冷等离子体处理的方法,用于处理聚酯或聚酰胺(PA)的表面,以促进其随后的和聚烯烃的组装。在这种方法中,待处理的底物的表面经历冷的等离子体,该等离子体通过在基于氮的等离子体形成气体上的放电作用产生,该气体的氧含量低于50ppm,压力和大气压相似,从而将尤其是胺型的氮功能团接枝在底物的表面上,接枝到底物的表面上的氮原子占按碳、氧和氮计的表面原子组合物的0.5-10%,优选1.5-4%,该比例通过ESCA测量在75°角获得。

专利申请WO-A-01/58992涉及一种聚合底物(聚烯烃、乙烯聚合物、聚苯乙烯、聚酯、聚酰胺、聚丙烯腈或聚碳酸酯)的等离子体表面处理方法,期间底物在大气压下经历介电屏障在气体混合物中放电,该气体混合物含有载体气(N2)和还原性气体(H2,50-30000ppm体积)和/或氧化性气体(CO2,50-2000ppm体积)。这种处理增加表面能和粘合。

所有的现有技术没有为调节抗粘合的硅氧烷涂层的粘性的问题提供令人满意的方案。

由于价格较高,理想的是不使用MQ、MMViQ或MDViQ或MM’Q或MD’Q硅氧烷树脂来调节抗粘合的硅氧烷组合物中的释放力。

理想的是,能够调节释放力线性地在10cN/cm-300cN/cm。

理想的是,有一种方法,其关于在真空下的等离子处理实施简单,其可在动态模式中使用,即,其能够处理移动的底物,甚至是高速移动的底物。

理想地,这种处理应具有几乎长久的效果,均匀性好。

发明内容

现在,经过长期的研究,申请人已开发出一种方法,该方法带来基于硅氧烷油的新的硅氧烷组合物,证明其令人满意。

这就是为何本发明的主题是一种制备含有抗粘合涂层的底物的方法,该涂层从基于至少部分交联的硅氧烷油的“抗粘合”硅氧烷组合物获得,和其原先的性质相比,该涂层具有改良的粘合性。根据该方法,

提供一底物,其至少部分地由前述的涂层涂覆,

并且大约在大气压下,

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