[发明专利]用于图像传感器的光导阵列有效
申请号: | 200880123359.0 | 申请日: | 2008-12-22 |
公开(公告)号: | CN101971339A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 郑苍隆;坦-特龙多 | 申请(专利权)人: | 郑苍隆;坎德拉微系统(S)私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王小衡;王洪斌 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 阵列 | ||
1.一种图像传感器像素,其包含:
一衬底;
一光电转换单元,其由该衬底支撑;
一保护膜,其在该衬底上方延伸且跨越该衬底;以及
一串联式光导,其中该串联式光导的一第一部分位于该保护膜与该衬底之间而该串联式光导的一第二部分则在该保护膜上方延伸。
2.根据权利要求1所述的像素,其中每一个串联式光导包含一透明部分与一彩色滤光片,该彩色滤光片相邻于该透明部分且在该绝缘体上方延伸。
3.根据权利要求1所述的像素,其中该第二部分包含一彩色滤光片。
4.根据权利要求3所述的像素,其中相邻像素的串联式光导的彩色滤光片由宽度不超过0.45um的一第一间隙隔开。
5.根据权利要求4所述的像素,其中该第一间隙的深度为该间隙中的光的波长的至少1.0倍。
6.根据权利要求5所述的像素,其中该光的波长为450nm。
7.根据权利要求3所述的像素,其中该彩色滤光片自动对准该串联式光导。
8.根据权利要求3所述的像素,其中该彩色滤光片的顶表面为一空气界面。
9.(空置)
10.根据权利要求1所述的像素,其中沿着该串联式光导的垂直轴和于该保护膜上方的所有光学界面为平面且平行。
11.(空置)
12.根据权利要求1所述的像素,其中两个不同像素中至少有两个串联式光导具有不同的剖面轮廓。
13.根据权利要求1所述的像素,其中第一部分的垂直中线和第二部分的垂直中线彼此偏离。
14.根据权利要求13所述的像素,其中该串联式光导经配置以使得光离开且再进入该串联式光导。
15.一种制造一图像传感器像素的方法,其包含:
形成一支撑膜,其具有一开口且位于一衬底上方,该衬底支撑一光电转换单元;以及
在该支撑膜的开口中形成一彩色滤光片。
16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包含在该彩色滤光片与该衬底之间形成一保护膜。
17.根据权利要求15所述的方法,其进一步包含移除在两个相邻彩色滤光片之间的至少一部分支撑膜。
18.根据权利要求15所述的方法,其进一步包含在该支撑膜的开口中形成一透明光导。
19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包含移除在该透明光导邻近处的一部分支撑膜。
20.根据权利要求18所述的方法,其进一步包含在该透明光导与该衬底之间形成一下方透明光导。
21.根据权利要求20所述的方法,其中该下方透明光导的垂直中线偏离该支撑膜的开口的垂直中线。
22.根据权利要求18所述的方法,其中形成该彩色滤光片的步骤在该彩色滤光片的顶表面上产生一平面的空气界面。
23.一种制造一图像传感器像素阵列的方法,其包含:
在一支撑一光电转换单元的衬底上方形成一绝缘体;
在该绝缘体邻近处形成多个壁部;
在该等壁部之间形成多个光导;
在该等光导邻近处形成多个彩色滤光片;以及
移除该等壁部之至少一部分以在相邻彩色滤光片之间形成间隙。
24.根据权利要求23所述的方法,其中通过形成一支撑膜且在该支撑膜内产生多个开口而形成该等壁部。
25.根据权利要求23所述的方法,其进一步包含在该绝缘体上方形成一保护膜。
26.根据权利要求24所述的方法,其中移除该支撑膜的一部分,使得每一个光导的一部分具有一空气界面。
27.一种图像传感器像素,其包含:
一衬底;
一光电转换单元,其由该衬底支撑;
一光导,其耦合到该光电转换单元;
抗反射构件,其用以降低在该光导与该光电转换单元之间的反射。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑苍隆;坎德拉微系统(S)私人有限公司,未经郑苍隆;坎德拉微系统(S)私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的