[发明专利]采用选择性制作的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储单元及其形成方法

权利要求书

1.一种制作存储单元的方法，包括：

在基底上制作控制元件；以及

通过在所述基底上选择性地制作碳纳米管(CNT)材料，来制作耦接到所述控制元件的可逆电阻切换元件。

2.如权利要求1所述的方法，其中，制作所述可逆电阻切换元件包括：

制作CNT引晶层；

布图并蚀刻所述CNT引晶层；以及

在所述CNT引晶层上选择性地制作CNT材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中，制作所述CNT引晶层包括：

沉积氮化钛；以及

粗糙化所沉积的氮化钛的表面。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：在所粗糙化的氮化钛表面上选择性得沉积金属层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述金属层包括镍、钴或铁。

6.如权利要求2所述的方法，其中，制作所述CNT引晶层包括：

在第一导体上沉积氮化钛；以及

在所述氮化钛上选择性地沉积金属催化剂层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述金属层包括镍、钴或铁。

8.如权利要求2所述的方法，其中，布图并蚀刻所述CNT引晶层包括布图并蚀刻所述控制元件。

9.如权利要求2所述的方法，其中，在所述CNT引晶层上选择性地制作CNT材料包括使用化学蒸镀(CVD)或等离子加强型CVD来在所述CNT引晶层上沉积CNT材料。

10.如权利要求2所述的方法，还包括：在所述CNT材料中生成缺陷，从而调节所述CNT材料的切换特性。

11.如权利要求1所述的方法，其中，制作所述可逆电阻切换元件包括：

选择性地沉积金属层；以及

在所沉积的金属层上选择性得制作CNT材料。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述金属层包括镍、钴或铁。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述可逆电阻切换元件制作在所述控制元件上。

14.如权利要求1所述的方法，其中，制作所述控制元件包括制作p-n型或p-i-n型二极管。

15.如权利要求14所述的方法，其中，制作所述控制元件包括制作多晶二极管。

16.如权利要求15所述的方法，其中，制作所述控制元件包括制作垂直多晶二极管。

17.如权利要求16所述的方法，其中，制作所述控制元件包括制作具有多晶材料的处于低阻态的垂直多晶二极管。

18.如权利要求1所述的方法，其中，制作所述控制元件包括制作薄膜晶体管。

19.如权利要求18所述的方法，其中，制作所述控制元件包括制作薄膜的、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

20.一种使用权利要求1所述的方法而形成的存储单元。

21.一种使用权利要求16所述的方法而形成的存储单元。

22.一种制作存储单元的方法，包括：

在基底上制作第一导体；

通过在所述第一导体上选择性地制作碳纳米管(CNT)，在所述第一导体上制作可逆电阻切换元件；

在所述第一导体上制作二极管；以及

在所述二极管和所述可逆电阻切换元件上制作第二导体。

23.如权利要求22所述的方法，其中，制作所述可逆电阻切换元件包括：

制作CNT引晶层；

布图并蚀刻所述CNT引晶层；以及

在所述CNT引晶层上选择性地制作CNT材料。

24.如权利要求23所述的方法，其中，制作所述CNT引晶层包括：

沉积氮化钛；以及

粗糙化所沉积的氮化钛的表面。

25.如权利要求24所述的方法，还包括：在所粗糙化的氮化钛表面上选择性地沉积金属层。

26.如权利要求23所述的方法，其中，布图并蚀刻所述CNT引晶层包括布图并蚀刻所述二极管。