[发明专利]生物传感器中的消逝场调制有效

专利信息
申请号: 200880123841.4 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101910825A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: J·J·H·B·施莱彭;D·M·布鲁尔斯;J·A·H·M·卡尔曼 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01N21/55 分类号: G01N21/55
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李亚非;刘鹏
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 生物 传感器 中的 消逝 调制
【权利要求书】:

1.FTIR系统,该系统包括:第一光源,其发射第一波长的光;样本体积,其具有相邻的传感器表面,其中该传感器表面由所述第一光源照射,满足全内反射条件并且在样本体积内产生具有衰减长度的消逝场;检测器,其用于检测所述传感器表面处反射的光;用于改变消逝场的衰减长度的装置;以及用于使检测的信号与消逝场的衰减长度的变化相关的装置。

2.依照权利要求1的系统,其中所述用于改变衰减长度的装置适于改变第一光源的第一波长。

3.依照权利要求1的系统,还包括发射与第一波长不同的第二波长的光的第二光源以及允许利用第一和第二光源照射传感器表面的光学装置。

4.依照权利要求3的系统,还包括用于反相地接通和断开第一和第二光源的装置。

5.依照权利要求1的系统,还包括用于解调检测器检测的信号的装置。

6.依照权利要求5的系统,还包括用于控制第一和第二光源的光束相对于彼此的强度的装置。

7.依照权利要求1的系统,其中所述用于改变衰减长度的装置适于改变传感器表面与第一光源的光束之间的角度。

8.检测FTIR生物传感器信号的方法,包括以下步骤:

a)利用第一波长的光照射与样本体积相邻的传感器表面,其中全内反射条件被满足并且在样本体积内产生具有衰减长度的消逝场;

b)检测传感器表面处反射的光;

c)在步骤a)和b)期间改变消逝场的衰减长度;以及

d)使检测的信号与消逝场的衰减长度的变化相关。

9.依照权利要求8的方法,其中消逝场的衰减长度通过改变第一波长而改变。

10.依照权利要求8的方法,还包括步骤:利用第二波长的光照射传感器表面。

11.依照权利要求10的方法,其中传感器表面由第一和第二波长的光交替地照射。

12.依照权利要求8的方法,还包括解调检测的信号的步骤。

13.依照权利要求8的方法,其中消逝场的衰减长度通过改变照射的入射角而改变。

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