[发明专利]蚀刻高纵横比接触的方法

权利要求书

1.一种在电介质层中蚀刻开口的方法，其包含：

从C₄F₆、C₄F₈或C₄F₆与C₄F₈的混合物、氧源气体、惰性气体和C₂F₄形成等离子体蚀刻气体；以及

以所述等离子体蚀刻气体穿过所述电介质层蚀刻所述开口到达下伏衬底，其中在所述蚀刻期间沿所述开口的侧壁维持保形聚合物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体蚀刻气体包含约0.25到1.5∶1的比率的C₄F₆∶C₂F₄、C₄F₈∶C₂F₄，或C₄F₈与C₄F₆∶C₂F₄。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质层包含氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质层包含氮化硅，且所述等离子体蚀刻气体进一步包含具有通式C_xH_yF_z的氢氟碳化合物，其中x＝1到6、y＝1到6且z＝1到6，或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口为接触孔或具有为约20到30∶1的纵横比的沟槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口的所述侧壁上的所述保形聚合物层针对所述开口的深度轮廓具有约5到的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中以约3000到/分钟的速率蚀刻所述电介质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体基本上由所述气体组成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述等离子体蚀刻气体包含对于C₄F₆或C₄F₈以约10到100sccm且对于C₂F₄以约50到150sccm的流动速率使所述气体流动。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述等离子体蚀刻气体包含以约30到100sccm的组合流动速率使C₄F₆和C₄F₈流动，且以约50到150sccm的流动速率使C₂F₄流动。

11.一种在电介质层中蚀刻开口的方法，其包含：

从流动速率为约50到70sccm的C₄F₆、C₄F₈或C₄F₆与C₄F₈的混合物、流动速率为约20到40sccm的氧源气体、流动速率为约900到1300sccm的惰性稀释气体和流动速率为约80到100sccm的C₂F₄形成等离子体蚀刻气体；以及

以所述等离子体蚀刻气体穿过所述电介质层蚀刻所述开口到达下伏衬底，其中在所述蚀刻期间沿所述开口的侧壁维持保形聚合物层。