[发明专利]微波功率放大器的平均功效增强和线性度改善

权利要求书

1.一种微波功率放大器，包括位于射频信号输入端口与微波晶体管的输入端口之间的偏置网络，其中，所述偏置网络包括基带部分和微波部分，所述基带部分和所述微波部分都连接到位于所述射频信号输入端口与所述微波晶体管输入端口之间的节点。

2.如权利要求1所述的放大器，其中，所述基带部分包括经由RF阻塞电感器连接到所述节点的正向偏置二极管，以及连接到地的去耦合电容器。

3.如权利要求1所述的放大器，其中，所述微波部分包括连接到所述节点的正向偏置二极管，以及耦合电容器。

4.如权利要求1所述的放大器，其中，所述基带部分在所述微波晶体管的所述输入端口处对低频互调产出提供短路终止。

5.如权利要求1所述的放大器，其中，所述微波晶体管包括双极晶体管或者场效应晶体管。

6.如权利要求1所述的放大器，其中，所述微波晶体管包括双极晶体管，并且其中所述偏置网络提供稳定所述双极晶体管的基极-发射极电压的基本恒定的电压。

7.如权利要求1所述放大器，其中，所述微波晶体管包括双极晶体管，并且其中所述偏置网络随着输入功率的增加而对所述双向晶体管提供增加的基极电流。

8.如权利要求7所述的放大器，其中，通过由所述双极晶体管的基极-发射极结型二极管生成的整流电流提供所述增加的基极电流并且通过由微波部分中的所述正向偏置二极管生成的整流电流进一步增强所述增加的基极电流。

9.如权利要求1所述的放大器，其中，所述微波晶体管包括双极晶体管，其中所述偏置网络提供稳定所述双极晶体管的基极-发射极电压的基本恒定的电压，并且所述偏置网络随着输入功率的增加而对所述双极晶体管提供增加的基极电流，并且其中所述稳定的基极-发射极电压以及所述增加的基极电流随着功率的增加而提供增加的集电极电流。

10.如权利要求1所述的放大器，其中，所述微波晶体管包括场效应晶体管，并且所述偏置网络随着输入功率的增加而提供增加的栅极-源极电压。

11.如权利要求10所述的放大器，其中，通过由所述微波部分中的所述正向偏置二极管生成的整流电流提供所述增加的栅极-源极电压。

12.如权利要求9所述的放大器，其中，所述增加的栅极-源极电压提供增加的漏极电流。

13.如权利要求1所述的放大器，其中，所述偏置网络的所述微波部分通过在将RF信号输入到所述微波晶体管之前向所述RF信号提供正增益偏移和负相位偏移来提供预失真补偿。

14.如权利要求1所述的放大器，其中，所述偏置网络提供动态三阶互调失真最小值。

15.如权利要求13所述的放大器，其中，在所述微波晶体管包括双极晶体管时通过所述集电极电流或者在所述微波晶体管包括场效应晶体管时通过所述漏极电流控制所述三阶互调失真最小值的位置。