[发明专利]利用粒子束的薄膜材料处理方法

权利要求书

1.一种在非晶相中处理基板的方法，所述方法包括：

将具有上表面与下表面的基板放在室中的平台上；

在所述基板的所述上表面上产生包括多个带电粒子的等离子体，所述等离子体具有一截面积，所述截面积等于或大于所述基板的所述上表面的表面积；

供应第一偏压至所述基板，以将所述带电粒子吸引至所述基板的所述上表面；

将所述带电粒子导入至一区域，所述区域延伸至所述基板的整个所述上表面下；以及

同时启动所述区域的第一相转变，使所述区域由非晶相转变为结晶相。

2.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述带电粒子是以约5×10¹⁴个粒子/平方公分*秒或更大的速度导入所述区域。

3.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，还包括在将所述粒子导入所述第一区域时调整供应至所述基板的所述偏压。

4.根据权利要求3所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述调整包括增加所述偏压。

5.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，还包括在将所述粒子导入所述区域之前调整所述基板的温度。

6.根据权利要求5所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述调整所述基板的温度包括降低所述基板的温度。

7.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述带电粒子包括选自由He、Ne、Ar、Kr、Xe与Rn所组成的族群中的一个或多个种类。

8.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述带电粒子包括分子离子。

9.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述带电粒子包括Ga离子。

10.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述区域包括硅，且其中所述带电粒子包括选自由C离子与Ge离子所组成的族群中的一个或多个种类，以将所述区域转变为应力区域。

11.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述区域包括选自IV族元素的材料，且其中所述带电粒子包括选自由B、Ga、In、P、As、Sb与Bi所组成的族群中的一个或多个种类，以改变所述区域的电性。

12.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述区域包括选自IV族元素的材料，且其中所述带电粒子包括选自由Yb、Ti、Zr、Hf、Pd、Pt与Al所组成的族群中的一个或多个种类，以改变所述区域的带隙特性。

13.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述区域包括选自IV族元素的材料，且其中所述带电粒子包括选自由含C离子、含Si离子、含Ge离子、含F离子、含N离子、含H离子、含He离子、含Sn离子与含Pb离子所组成的族群中的一个或多个种类，以避免改变所述区域的电性。

14.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述区域包括选自IV族元素的材料，且其中所述带电粒子包括金属离子，以增加将所述区域由非晶相转变为结晶相的速率。

15.根据权利要求15所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述金属离子包括Ni离子。

16.根据权利要求1所述的在非晶相中处理基板的方法，还包括将整个所述区域的相由非晶相转变为结晶相，其中所述区域小于整个所述基板。

17.根据权利要求17所述的在非晶相中处理基板的方法，其中所述区域包括至少一结晶。

18.根据权利要求18所述的在非晶相中处理基板的方法，还包括延伸至少一结晶的粒界以越过所述基板的所述区域直至整个所述基板转变为结晶相为止。