[发明专利]等离子体处理设备

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，包括：用于等离子体反应的反应腔；排气部分，用于将气体从所述反应腔排出；以及平板状的阴极电极和平板状的阳极电极，布置在所述反应腔中并彼此相对，其中

所述阴极电极和所述阳极电极在其相对方向上布置有多组，

每个所述阴极电极包括设置在其中的中空室以及喷淋板，所述喷淋板设置有用于将引入到所述中空室的气体从所述中空室喷到所述阴极电极和所述阳极电极之间的部分的多个第一喷气孔，

用于将气体从所述阴极电极的外部引入的进气口设置在所述中空室的与所述阴极电极的所述喷淋板相对的内壁的电极端面处，并且

用于将气体喷到所述中空室的多个第二喷气孔和用于将气体从所述进气口引导到所述第二喷气孔的气体引导部分设置在所述中空室的与所述喷淋板相对的所述内壁处。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中

所述气体引导部分包括形成在所述中空室的与所述喷淋板相对的所述内壁上的通道以及覆盖所述通道的盖。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其中

所述盖是平板。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理设备，其中

所述第二喷气孔通过在所述盖中开设通孔来设置。

5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理设备，其中

所述第二喷气孔设置在所述通道没有被所述盖覆盖的部分上。

6.根据权利要求1至5中任何一项所述的等离子体处理设备，其中

所述第二喷气孔设置在所述中空室的与所述喷淋板相对的所述内壁的中央部分、以及围绕所述中央部分的一个圆的圆周上或围绕所述中央部分的多个同心圆的多个圆周上。

7.根据权利要求1至6中任何一项所述的等离子体处理设备，其中

所述第二喷气孔以这样的方式设置：至少一个孔设置在所述中空室的与所述喷淋板相对的所述内壁的中央部分，并且多个孔以点对称的方式设置在围绕所述中央部分的一个圆的圆周上。

8.根据权利要求6或7所述的等离子体处理设备，其中

设置在所述中空室的与所述喷淋板相对的所述内壁的中央部分的每个第二喷气孔的开口面积小于每个另外的第二喷气孔的开口面积，该另外的第二喷气孔设置在围绕所述中央部分的一个圆的一个圆周上或围绕所述中央部分的多个同心圆的多个圆周上。