[发明专利]对包含锗和锑的材料的金属催化选择性沉积

权利要求书

1.一种选择性地沉积包含锗和锑的材料(20)的方法，包括以下步骤：

将衬底放置在化学气相沉积反应腔(52)中，所述衬底包括包含这样的金属的区域(14)，所述金属能够与锗形成共晶合金；

将包括所述衬底的所述反应腔(52)抽空到小于0.1333Pa的基础压力；

将所述衬底加热到低于400℃的温度；

向所述反应腔(52)提供含锑前体和含锗前体；以及

从所述前体将包含锗(Ge)和锑(Sb)的材料(20)沉积到所述衬底的包含所述金属的所述区域(14)上，其中在包含锗和锑的所述材料(20)的生长期间，所述金属的表面金属层(22)漂浮在包含锗和锑的所述材料(20)的表面上。

2.根据权利要求1的方法，其中所述金属包括Au、Al、Ge和In。

3.根据权利要求2的方法，其中所述金属包括Au。

4.根据权利要求1的方法，其中所述衬底的包含所述金属的所述区域(14)是具有大于3∶1的纵横比的至少一个开口的底壁。

5.根据权利要求1的方法，其中同时向所述反应腔(52)提供所述前体。

6.根据权利要求1的方法，其中首先向所述反应腔(52)提供所述含锗前体以形成Ge层，随后提供所述含锑前体。

7.根据权利要求1的方法，其中所述含锗前体是锗烷、包含1到约16个碳原子的锗烷基、锗烷氢化物、或其他有机锗烷。

8.根据权利要求1的方法，其中所述含锑前体是包含1到约16个碳原子的锑烷基、锑胺、氢化锑、或其他有机含锑化合物。

9.一种选择性地沉积包含锗(Ge)和锑(Sb)的方法，包括以下步骤：

将衬底放置在化学气相沉积反应腔(52)中；

将包括所述衬底的所述反应腔(52)抽空到小于0.1333Pa的基础压力；

将所述衬底加热到低于400℃的温度；

在所述衬底的区域(14)上形成能够与锗形成共晶合金的金属；

向所述反应腔(52)提供含锑前体和含锗前体；以及

从所述前体将包含锗(Ge)和锑(Sb)的材料(20)沉积到所述衬底的包含所述金属的所述区域(14)上，其中在包含锗和锑的所述材料(20)的生长期间，所述金属的表面金属层(22)漂浮在包含锗和锑的所述材料(20)的表面上。

10.根据权利要求9的方法，其中所述金属包括Au、Al、Ge和In。

11.根据权利要求10的方法，其中所述金属包括Au。

12.根据权利要求9的方法，其中所述衬底的包含所述金属的所述区域(14)是具有大于3∶1的纵横比的至少一个开口的底壁。

13.根据权利要求9的方法，其中同时向所述反应腔(52)提供所述前体。

14.根据权利要求9的方法，其中首先向所述反应腔(52)提供所述含锗前体以形成Ge层，随后提供所述含锑前体。

15.根据权利要求9的方法，其中所述含锗前体是锗烷、包含1到约16个碳原子的锗烷基、锗烷氢化物、或其他有机锗烷。

16.根据权利要求9的方法，其中所述含锑前体是包含1到约16个碳原子的锑烷基、锑胺、氢化锑、或其他有机含锑化合物。

17.一种选择性地沉积包含锗(Ge)和锑(Sb)的材料(20)的方法，包括以下步骤：

将绝缘材料放置在化学气相沉积反应腔(52)中，所述绝缘材料包括包含Au的区域(14)；

将包括所述互连结构的所述反应腔(52)抽空到小于0.1333Pa的基础压力；

将所述互连结构加热到低于400℃的温度；

向所述反应腔(52)提供含锑前体和含锗前体；以及

从所述前体将包含锗(Ge)和锑(Sb)的材料(20)沉积到所述绝缘材料的包含Au的所述区域(14)上，其中在包含锗和锑的所述材料(20)的生长期间，所述金属的表面金属层(22)漂浮在包含锗和锑的所述材料(20)的表面上。

18.根据权利要求17的方法，其中所述衬底的包含所述Au的所述区域(14)是具有大于3∶1的纵横比的至少一个开口的底壁。