[发明专利]等离子体显示面板和等离子体显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体显示面板的放电稳定化，特别涉及触发粒子(priming particle)释放。

背景技术

放电的稳定化是等离子体显示面板中的重要技术。为了实现该放电的稳定化，必须使用在低电压开始放电并供给丰富的触发粒子的构造·材料。

作为该构造·材料，提出在与放电相接触的表面上形成氧化镁的蒸镀膜的方法，并使用氧化镁晶体作为触发供给材料。

特别是在使用氧化镁晶体作为触发供给材料的技术中，氧化镁晶体必须维持足够长的时间(至少1帧的显示期间，即16.6mmsec以上)释放触发粒子(电子)。

日本特开2006-147417号公报(专利文献1)中公开了设置包含晶体粉末的结晶氧化镁层的方法，其中，该进行阴极射线致发光的氧化镁晶体粉末的粒度分布为：粉末中粒径在规定值以上的晶体的所占比例为规定值以上。

专利文献1：日本特开2006-147417号公报

发明内容

通过仔细研究使触发粒子维持16.6mmsec以上的时间的结晶参数，发现了触发粒子释放时间与粒子的平均粒径之间有很强的关系。

并且发明人发现，通过减少氧化镁蒸镀膜(保护膜层)和该保护膜层上涂敷的作为放电稳定化材料粒子的氧化镁中的杂质即铝等的含量，能够显著地增加触发粒子的释放持续时间。

本发明的目的是提供如下技术，即，利用上述特性，通过增大氧化镁的粒径并调整该氧化镁内的杂质的残留量，从而使得等离子体显示面板的放电稳定化。

本发明的上述和其它的目的以及新的特征，能够通过本说明书的记载和附图来加以明确。

以下对本申请中公开的发明中具有代表性的方式的概要进行简单说明。

本发明的代表性的实施方式中的等离子体显示面板的特征在于，包含玻璃基板模块，该玻璃基板模块包括：玻璃基板、与该玻璃基板接触的电介质层、和保护该电介质层的保护膜层，作为涂敷于保护膜层上的放电稳定化材料粒子，使用BET比表面积为3m²/mg以下的氧化镁。

本发明的代表性的实施方式中的另一等离子体显示面板的特征在于，包含玻璃基板模块，该玻璃基板模块包括：玻璃基板、与该玻璃基板接触的电介质层、和保护该电介质层的保护膜层，作为涂敷于保护膜层上的放电稳定化材料粒子，使用杂质含量为20ppm以下的氧化镁。

该氧化镁的杂质为铝、铁、镍、锰、铬，该特性也可作为一项特征。

本发明的代表性的实施方式中的等离子体显示面板的特征在于，包含玻璃基板模块，该玻璃基板模块包括：玻璃基板、与该玻璃基板接触的电介质层、和保护该电介质层的保护膜层，作为涂敷于保护膜层上的放电稳定化材料粒子，使用包含由铝、铁、镍、锰、铬的全部或者一部分混合而成的杂质的氧化镁，上述氧化镁中铝、铁、镍、锰、铬的各自的含量为20ppm以下。

这些等离子体显示面板的特征亦可有，作为保护膜层的材料，使用氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡或它们的复合氧化物。

以下对根据本申请中公开的发明中具有代表性的方式而得的效果进行简单说明。

本发明的代表性的实施方式中的等离子体显示面板中，将大粒径且杂质稀少的氧化镁单晶体粒子作为触发供给材料，将其作为放电稳定化材料粒子使用，由此，可获得持续1帧以上长时间的良好的触发效果。

附图说明

图1是表示在第1实施方式中假定的等离子体显示面板的正面玻璃基板侧模块的结构的立体截面图。

图2是使用了图1的正面玻璃基板侧模块的等离子体显示面板100的截面立体图。

图3是表示氧化镁粉末内的杂质之一的铝的浓度与放电延迟的关系的图表。

图4是表示氧化镁粉末内的杂质之一的铁的浓度与放电延迟的关系的图表。

图5是表示氧化镁粉末内的杂质之一的镍的浓度与放电延迟的关系的图表。

图6是表示氧化镁粉末内的杂质之一的锰的浓度与放电延迟的关系的图表。

图7是表示氧化镁粉末内的杂质之一的铬的浓度与放电延迟的关系的图表。

图8是表示第2实施方式中使用的两种不同粒度的氧化镁粉体的粒度分布的图表。

图9是表示将第2实施方式中使用的两种不同粒度的氧化镁粉体作为放电稳定化材料粒子以一定量散布在保护膜表面的状态下，休止时间与放电延迟的关系的图表。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

(第1实施方式)