[发明专利]等离子体显示面板的制造方法、氧化镁晶体粉体的制造方法无效
| 申请号： | 200880125140.4 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101919019A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 三泽智也;小坂忠义;瀬尾欣穗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J11/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 显示 面板 制造 方法 氧化镁 晶体 | ||
1.一种等离子体显示面板的制造方法，该等离子体显示面板，按照在相对配置的两个基板结构体间的放电空间内露出的方式配置有包含高温加热处理后的氧化镁晶体粉体的触发粒子释放层，该制造方法的特征在于：
具有前处理工序，在对所述氧化镁晶体粉体进行所述高温加热处理前，使所述氧化镁晶体粉体的由多个粒子构成的粒子群的形状、大小均匀。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：
在所述前处理工序中，通过在设置于基板上的凹状孔中填充所述氧化镁晶体粉体加以成型，使所述氧化镁晶体粉体的由多个粒子构成的粒子群的形状、大小均匀。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：
所述凹状孔的大小为1～100μm。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：
在所述前处理工序中，通过在设置于基板上的贯通孔中压入所述氧化镁晶体粉体并使该氧化镁晶体粉体通过贯通孔，使所述氧化镁晶体粉体的由多个粒子构成的粒子群的形状、大小均匀。
5.如权利要求4所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：
所述贯通孔的大小为1～100μm。
6.一种等离子体显示面板的制造方法，该等离子体显示面板，按照在相对配置的两个基板结构体间的放电空间内露出的方式配置有包含高温加热处理后的氧化镁晶体粉体的触发粒子释放层，该制造方法的特征在于：
在对所述氧化镁晶体粉体进行所述高温加热处理时，使用形状、大小均匀的、所述氧化镁晶体粉体的粒子或由多个粒子构成的粒子群的。
7.一种氧化镁晶体粉体的制造方法，该氧化镁晶体粉体是等离子体显示面板中的触发粒子释放层所包含的被高温加热处理过的氧化镁晶体粉体，该触发粒子释放层按照在相对配置的两个基板结构体间的放电空间内露出的方式配置，该制造方法的特征在于：
具有前处理工序，在对所述氧化镁晶体粉体进行所述高温加热处理前，使所述氧化镁晶体粉体的由多个粒子构成的粒子群的形状、大小均匀。
8.如权利要求7所述的氧化镁晶体粉体的制造方法，其特征在于：
在所述前处理工序中，通过在设置于基板上的凹状孔中填充所述氧化镁晶体粉体加以成型，使所述氧化镁晶体粉体的由多个粒子构成的粒子群的形状、大小均匀。
9.如权利要求8所述的氧化镁晶体粉体的制造方法，其特征在于：
所述凹状孔的大小为1～100μm。
10.如权利要求7所述的氧化镁晶体粉体的制造方法，其特征在于：
在所述前处理工序中，通过在设置于基板上的贯通孔中压入所述氧化镁晶体粉体并使该氧化镁晶体粉体通过贯通孔，使所述氧化镁晶体粉体的由多个粒子构成的粒子群的形状、大小均匀。
11.如权利要求10所述的氧化镁晶体粉体的制造方法，其特征在于：
所述贯通孔的大小为1～100μm。
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