[发明专利]声波元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880125279.9 申请日: 2008-11-26
公开(公告)号: CN101926090A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 冬爪敏之;西埜太郎;山崎央;荒木圣人;田村登;市川半;有贺正树 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所;株式会社小池
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H3/08
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人: 齐永红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 声波 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种声波元件,其特征在于,包括:在一个主面上形成梳型电极的压电基片;以及,形成在所述压电基片的另一个主面上,由具有比所述压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜;所述喷镀膜的晶粒边界以及空穴中的至少一部分被填充材料所填充。

2.根据权利要求1所述的声波元件,其特征在于,所述喷镀膜的截面中的每单位面积的所述填充材料的填充率是60%以上。

3.根据权利要求1或者2所述的声波元件,其特征在于,构成所述喷镀膜的材料是从由莫来石、氧化铝、硅以及氧化钇构成的群中选择的至少一个。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的声波元件,其特征在于,所述压电基片是钽酸锂基片或者铌酸锂基片。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的声波元件,其特征在于,所述填充材料是从由硅、氧化铝、氮化硅以及氧化硅构成的群中选择的材料。

6.一种声波元件的制造方法,其特征在于,包括:在压电基片的一个主面上形成梳型电极的步骤;在形成梳型电极之后的压电基片的另一个主面上,通过喷镀具有比所述压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料而成膜的步骤;以及向形成在通过所述喷镀而成膜的膜上的晶粒边界和空穴填充填充材料的步骤。

7.根据权利要求6所述的声波元件的制造方法,其特征在于,重复进行通过所述喷镀成膜的步骤、以及向所述晶粒边界和空穴填充填充材料的步骤。

8.根据权利要求6或者7所述的声波元件的制造方法,其特征在于,向所述晶粒边界和空穴填充填充材料的步骤是至少向所述喷镀膜涂敷一次所述填充材料并使所述填充材料固化的步骤。

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