[发明专利]有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：提供包含限定沟道区的源电极和漏电极的基板；使至少所述沟道区经历清洗处理步骤；以及通过喷墨印刷将有机半导体材料由溶液沉积到所述沟道区中。

2.根据权利要求1的方法，其中还使所述源电极和漏电极的至少部分经受所述清洗处理步骤。

3.根据权利要求1或2的方法，其中所述清洗处理步骤是等离子体处理步骤。

4.根据权利要求3的方法，其中所述等离子体处理步骤是O₂等离子体处理步骤。

5.根据权利要求3或4的方法，其中所述等离子体包括基团促进物质。

6.根据权利要求5的方法，其中所述基团促进物质是含卤素的物质。

7.根据权利要求6的方法，其中所述含卤素的物质是含氟的物质。

8.根据权利要求7的方法，其中所述含氟的物质是CF₄。

9.根据权利要求3到8中的任一权利要求的方法，其中所述等离子体处理步骤至少执行60秒。

10.根据以上任一权利要求的方法，其中在所述有机半导体材料的喷墨印刷之前在所述清洗处理步骤之后继之以去润湿处理步骤。

11.根据权利要求10的方法，其中所述去润湿处理步骤是等离子体处理。

12.根据权利要求11的方法，其中所述去润湿等离子体处理包括含卤素的等离子体。

13.根据权利要求12的方法，其中所述含卤素的等离子体是含氟的等离子体。

14.根据权利要求13的方法，其中所述含氟的等离子体是CF₄。

15.根据以上任一权利要求的方法，其中所述有机薄膜晶体管是顶栅器件，所述方法还包括将栅极电介质沉积于所述有机半导体材料之上以及将栅电极沉积于所述栅极电介质之上。

16.根据权利要求1-14中任一项的方法，其中所述有机薄膜晶体管是底栅器件，提供所述基板的步骤包括：沉积栅电极，将栅极电介质沉积于所述栅电极之上，以及将所述源电极和漏电极沉积于所述栅极电介质之上以形成所述沟道区。

17.根据权利要求16的方法，其中所述电介质材料是有机电介质。

18.根据以上任一权利要求的方法，还包括在提供基板的步骤之后并且在清洗处理步骤之前形成限定包围所述沟道区的阱的绝缘材料的图形化层。

19.一种根据以上任一权利要求的方法制造的有机薄膜晶体管器件，所述器件具有至少10^-4cm²/Vs的电荷迁移率。

20.根据权利要求19的有机薄膜晶体管器件，其中所述器件具有至少10^-3cm²/Vs的电荷迁移率。

21.根据权利要求20的有机薄膜晶体管器件，其中所述器件具有至少10^-2cm²/Vs的电荷迁移率。

22.一种制造有源矩阵有机光学器件的方法，包括以下步骤：

在包含图形化电极层的基板上形成限定多个阱的至少一个堤坝层；

使所述多个阱经历清理处理步骤；以及

通过喷墨印刷将有机半导体材料沉积到所述阱中的一些阱中以在其中形成有机薄膜晶体管并且将有机光学有源材料沉积至所述阱中的其它阱中以在其中形成发光像素。

23.根据权利要求22的方法，其中形成步骤包括：在公共基板上形成为所述有机薄膜晶体管和所述像素两者提供的公共的堤坝层，并且其中经历步骤包括：使所述有机薄膜晶体管的所述阱和所述像素的所述阱两者同时经历所述清洗处理步骤。

24.一种根据权利要求22或23的所述方法制造的有源矩阵有机光学器件，其中所述有机薄膜晶体管具有至少10^-4cm²/Vs的电荷迁移率。