[发明专利]用于DUV元件的致密均匀氟化物膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200880125898.8 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101925837A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: M·J·康杰米;H·施赖伯;王珏 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11;G02B5/28;G02B5/08;C23C14/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹;周承泽
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 duv 元件 致密 均匀 氟化物 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种涂覆的光学元件,所述光学元件包括基材,该基材具有至少一个均匀的共同沉积的L-H层和在所述共同沉积的L-H层顶上沉积的一个L层,所述L-H层由沉积在所述基材上的高折射率镧系金属氟化物材料和低折射率金属氟化物材料组成,所述L层是低折射率金属氟化物材料。

2.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述高折射率镧系金属氟化物中的金属选自钕、镧、镝、钇和钆。

3.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述高折射率镧系金属氟化物中的金属选自镧和钆。

4.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述低折射率金属氟化物中的金属选自氟化铝以及钙、镁、钡和锶的氟化物。

5.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述低折射率金属氟化物中的金属选自氟化铝和氟化镁。

6.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述基材选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度的熔凝氧化硅和氟化钙单晶基材。

7.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述基材选自高纯度的熔凝氧化硅和氟化钙。

8.如权利要求1所述的光学元件,其特征在于,所述光学元件任选地进一步包括密封层,该密封层作为在涂覆的光学元件的顶上的最后层施加,所述密封层选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度的熔凝氧化硅和氟掺杂的熔凝氧化硅,密封层的厚度为5-70纳米。

9.如权利要求1所述的光学元件,其特征在于,所述光学元件包括多个L/(L-H)层对,而且,

在叠层的至少一对层之间任选地插有至少一个界面平化层,所述平化层选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度的熔凝氧化硅和氟掺杂的熔凝氧化硅。

10.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述共同沉积的层由2-30重量%的低折射率金属氟化物和70-98重量%的高折射率材料组成。

11.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述共同沉积的L-H层的厚度为5-70纳米。

12.如权利要求1所述的涂覆的光学元件,其特征在于,所述L层的厚度为5-70纳米。

13.一种涂覆光学元件的方法,所述方法包括:

提供一种光学元件,

通过以下方式涂覆至少一个涂层叠层:

(a)共同沉积至少一个膜层,该膜层由高折射率镧系金属氟化物和低折射率金属氟化物组成,以形成L-H层,和

(b)用低折射率材料的涂层涂覆所述共同沉积的膜层,以形成L层;

其中,所述层(a)和(b)各自独立地具有5-70纳米的厚度,和

(a)的L-H层和(b)的L层一起形成叠层。

14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括在最后叠层的顶上施加密封层。

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